Компания NEO Semiconductor недавно объявила о выпуске двух новых конструкций модулей 3D X-DRAM — 1T1C и 3T0C, которые, как ожидается, полностью изменят статус-кво памяти DRAM.Эти две конструкции используют однотранзисторную архитектуру с одинарной емкостью и трехтранзисторную архитектуру с нулевой емкостью соответственно. Ожидается, что тестовые чипы для проверки концепции будут произведены в 2026 году и будут обеспечивать в 10 раз большую емкость, чем нынешние обычные модули DRAM.
Основанный на технологии NEO 3D X-DRAM, новый модуль памяти способен вместить 512 ГБ (64 ГБ) емкости одного модуля, что как минимум в 10 раз больше, чем у любого модуля, представленного в настоящее время на рынке.
В тестовых симуляциях NEO эти устройства достигли скорости чтения и записи 10 наносекунд и времени хранения более 9 минут, что является передовым достижением современных возможностей DRAM.
В новой конструкции используются материалы на основе оксида индия-галлия-цинка (IGZO), а ячейки 1T1C и 3T0C могут быть построены как 3D NAND, используя многоуровневую конструкцию для увеличения емкости и пропускной способности при сохранении энергоэффективности.
Энди Сюй, генеральный директор NEO Semiconductor, сказал:«С выпуском 1T1C и 3T0C 3D X-DRAM мы переосмысливаем возможности технологии памяти. Это нововведение преодолевает ограничения масштабирования современной DRAM, делая NEO лидером в области памяти следующего поколения».
NEO Semiconductor планирует поделиться дополнительной информацией о 1T1C, 3T0C и других продуктах серий 3D X-DRAM и 3D NAND на Международном симпозиуме памяти IEEE в этом месяце.