Недавно источник сообщил, чтоУровень производительности чипов DRAM от Samsung, основанных на техпроцессе 1dnm (процесс седьмого поколения на уровне 10 нм), на этапе пробного производства был ниже, чем ожидалось. Samsung планирует отложить крупномасштабное массовое производство на неопределенный срок, пока уровень доходности не достигнет установленного целевого показателя.С этой целью Samsung может всесторонне пересмотреть технологический процесс, чтобы еще больше повысить производительность.
Согласно первоначальному плану,Samsung планирует использовать чипы DRAM, изготовленные по 1днм техпроцессу, для HBM5E, решения HBM девятого поколения.
Стоит отметить, что помимо HBM4, чипы DRAM, в настоящее время использующие техпроцесс 1 CNm, также будут использоваться в HBM4E и HBM5, охватывая три последовательных поколения продуктов HBM. Также ходят слухи, что Samsung может обновить базовый кристалл HBM следующего поколения и перейти на более совершенный 2-нм техпроцесс.
В настоящее время Samsung вложила больше ресурсов в микросхемы DRAM по техпроцессу 1 нм и построила новый завод в Южной Корее.
Сообщается, что,Завод занимает территорию размером с четыре стандартных футбольных поля. Помимо производства чипов DRAM, компания также будет заниматься упаковкой, тестированием, логистикой и контролем качества. Эти процессы имеют решающее значение для поддержания стабильного производства.
