SK Hynix продемонстрировала образец памяти нового поколения HBM4E с высокой пропускной способностью на выставке Computex 2026, сосредоточив внимание на платформе графического процессора для центров обработки данных искусственного интеллекта, которая будет запущена Nvidia, AMD и другими производителями. Поскольку масштаб генеративных и логических моделей искусственного интеллекта продолжает расширяться, спрос отрасли на более высокую пропускную способность, большую емкость и более энергоэффективные хранилища продолжает расти. HBM4E считается еще одним важным развитием, основанным на HBM4.
Согласно сообщениям, представленный на этот раз одиночный чип HBM4E использует чип емкостью 32 ГБ, что увеличивает плотность кристалла примерно на 33% по сравнению с HBM4. Что касается структуры стека, HBM4E может достигать емкости 48 ГБ за счет 12-уровневого стека. Раньше для достижения той же емкости обычно требовалось 16-слойное штабелирование. Это означает, что при сохранении той же емкости ожидается уменьшение высоты и сложности упаковки, что оставляет больше возможностей для проектирования системы. Что касается производительности, одноконтактная скорость HBM4E может достигать 16 Гбит/с, что примерно на 37% выше, чем у HBM4, а его одноконтактная пропускная способность может достигать 4 ТБ/с, что устанавливает новый высокий уровень пропускной способности для продуктов этого типа.
Инсайдеры отрасли отметили, что в этом году графические процессоры нового поколения для центров обработки данных с искусственным интеллектом, такие как серии NVIDIA Rubin и AMD MI400, будут последовательно использовать решения памяти HBM4, а HBM4E рассматривается как направление обновления последующих продуктов. SK hynix заранее представила на выставке образцы HBM4E, что свидетельствует о ее активном участии в следующем этапе конкурса HBM. Компания прогнозирует, что HBM4E впервые появится на графическом процессоре Nvidia Rubin Ultra, выпуск которого запланирован на следующий год. В последующих поколениях продуктов может использоваться корпус высокой плотности из нескольких графических процессоров и ядер HBM4E для дальнейшего увеличения верхнего предела вычислительной мощности ИИ и пропускной способности памяти.
С точки зрения пути развития технологий, HBM4E продолжает итеративное мышление семейства HBM с точки зрения пропускной способности и энергоэффективности. Предыдущий HBM3E достиг улучшения пропускной способности и энергопотребления на 1,2 ТБ/с на чип в конфигурации с 12-уровневым стеком емкостью 36 ГБ, а HBM4 еще больше улучшил скорость вывода и общую пропускную способность в конфигурации с 16-уровневым стеком емкостью 48 ГБ. Объявленные на данный момент параметры показывают, что HBM4E обеспечивает одновременное улучшение пропускной способности и эффективности энергопотребления за счет более высокой плотности одноядерных процессоров и 12-уровневой конструкции стека при той же емкости 48 ГБ, что помогает устранить узкие места памяти в сценариях с высокой нагрузкой, таких как логический вывод и обучение искусственного интеллекта.
В дополнение к линейке продуктов HBM в тот же период выставки SK Hynix также представила свое новое стековое решение NAND «AI-N B» для эпохи искусственного интеллекта. Это решение основано на идее стекирования сквозных микросхем HBM (TSV) для вертикального штабелирования многослойных чипов NAND для достижения комбинированных возможностей «пропускной способности уровня HBM и емкости уровня SSD». Цель состоит в том, чтобы предоставить систему хранения данных с более высокой пропускной способностью для крупномасштабных выводов ИИ, одновременно снизив давление в отрасли, вызванное текущим дефицитом систем хранения данных с высокой пропускной способностью. Эта идея имеет определенное сходство с такими техническими решениями, как HBF и Z-Angle, предлагаемыми другими производителями отрасли. Все они пытаются преодолеть разрыв в производительности и стоимости между памятью с высокой пропускной способностью и хранилищем большой емкости за счет трехмерного стекирования и высокоскоростного соединения.
Что касается клиентских и терминальных продуктов, SK Hynix также представила ряд новых продуктов для «AI PC», включая модули памяти LPCAMM2 емкостью 96 ГБ, выполненные по техпроцессу 1cnm. Модуль соответствует стандарту LPDDR5X и имеет скорость передачи до 9,6 Гбит/с. Ожидается, что он будет выпущен на рынок позднее в этом году с платформой AI PC нового поколения. В области твердотельных накопителей компания представила серию V9 NAND, которая доступна в двух формах частиц: QLC и TLC. Емкость одного чипа может достигать 2 ТБ, и его можно упаковать в компактные продукты cSSD. Он ориентирован на миниатюризацию и высокую энергоэффективность, а также использует архитектуру без DRAM для дальнейшей оптимизации затрат и энергопотребления.
В целом, на выставке Computex компания SK Hynix продемонстрировала полную схему хранения данных для двух основных направлений применения — центров обработки данных с искусственным интеллектом и ПК с искусственным интеллектом — от HBM4E до многоуровневого NAND, высокоплотного LPCAMM2 и твердотельного накопителя V9 NAND. В условиях одновременного резкого роста вычислительной мощности ИИ и спроса на хранилища новое поколение продуктов хранения данных с высокой пропускной способностью, высокой плотностью и низким энергопотреблением станет ключевой поддержкой для графических процессоров и других вычислительных чипов для повышения производительности. Первое публичное появление образца HBM4E также рассматривается как важный сигнал для следующего раунда конкурса технологий HBM.