Аннотация:
ASML работает с клиентами над разработкой более крупных масок для литографического оборудования EUV следующего поколения с высокой числовой апертурой. Ожидается, что эта корректировка сделает систему более подходящей для крупнейших чипов искусственного интеллекта и центров обработки данных. Компания заявила, что существующее оборудование EUV позволяет печатать чипы площадью около 800 квадратных миллиметров, чего достаточно для покрытия процессоров и ускорителей, предназначенных для передового оборудования центров обработки данных такими производителями, как Nvidia и Google.
High-NA EUV — это основная литографическая платформа ASML нового поколения. Он может печатать более мелкие детали, чем существующие EUV, помогая производителям микросхем создавать конструкции с более высокой плотностью при использовании передовых процессов. Но в настоящее время используется маска меньшего размера, что ограничивает площадь чипа, которую можно напечатать за одну экспозицию.
Чтобы устранить это ограничение, ASML планирует перевести High-NA EUV на 12-дюймовый формат сетки, что позволит новому оборудованию работать с более крупными чипами и охватывать самый большой масштаб устройств для центров обработки данных, который уже может производить существующее оборудование EUV. Оборудование для литографии проецирует схемы на кремниевые пластины, пропуская свет через маску, на которой нанесен рисунок микросхемы. Таким образом, размер маски напрямую определяет, какой объем дизайнерского контента можно охватить за одну экспозицию.
Что касается промышленной реализации, Intel использовала систему ASML High-NA на чипах для ноутбуков, но TSMC и Samsung еще не внедрили это оборудование в крупномасштабное массовое производство логических чипов. ASML планирует продемонстрировать пилотную линию с использованием маски большего размера в 2031 году и планирует запустить эту технологию в крупносерийное производство в 2033 году.
Технологический директор ASML Марко Питерс сообщил агентству Reuters, что если все стороны в отрасли смогут работать вместе для продвижения вперед, ожидается, что эффективность производства этих систем увеличится на 40%. Этот шаг также направлен на расширение сферы применения High-NA EUV, поскольку ожидается, что этот тип оборудования будет более дорогим и технически требовательным, чем существующие EUV, и производители чипов будут готовы принять его в больших масштабах только в том случае, если производительность будет достаточно высокой.
Хронология отрасли также показывает, что High-NA EUV постепенно переходит от ранних испытаний к более широкому планированию производства. SK Hynix заявила, что рассматривает вопрос о присоединении к альянсу для содействия внедрению 12-дюймовых масок, и установила 2028 год в качестве целевого срока для использования High-NA EUV для массового производства DRAM; Samsung также планирует использовать High-NA EUV для производства DRAM высокой емкости в 2028 году, а TSMC рассчитывает внедрить эту технологию в крупномасштабное производство микросхем с передовыми технологиями с 2030 года.
Эти разработки показывают, что решение ASML для масок большого размера в основном решает другой уровень проблем: позволяет EUV с высокой числовой апертурой не только обеспечивать более высокое разрешение, но и поддерживать все более крупные конструкции чипов, необходимые для систем искусственного интеллекта и облачной инфраструктуры.
Комментарии