Аннотация:
GlobalFoundries (GF) объявила о разработке FDX Fusion полностью обедненного кремния на изоляторе (FD-SOI) с целью создания маломощных высокоинтегрированных чипов для оборудования «физического искусственного интеллекта», такого как роботы, автомобили и промышленная автоматизация. Компания заявила, что первое поколение FDX Fusion, как ожидается, достигнет «цифровой производительности на уровне 7 нм», и планирует начать производство на своем заводе в Дрездене, Германия, в 2028 году.
Это утверждение относится к уровню производительности цифровой логики и не означает, что GF возобновила 7-нм процесс FinFET, который был приостановлен в 2018 году, и не может быть напрямую эквивалентен 7-нм технологическому узлу или плотности транзисторов других фабрик.
FDX Fusion продолжает путь FD-SOI компании GF. Эта технология устанавливает изолирующий слой под слоем кремния и поддерживает регулировку обратного смещения, которую можно регулировать между энергопотреблением и производительностью в зависимости от рабочей нагрузки; GF заявила, что это помогает уменьшить утечки, оптимизировать энергоэффективность и подходит для интеграции радиочастотных, аналоговых и цифровых схем. Планируется, что новая платформа будет включать встроенную энергонезависимую память, вычисления в памяти и логику высокой плотности. Среди заявленных GF показателей можно отметить, что ft/fmax радиочастотного устройства может достигать 0,5 ТГгерц, а плотность процесса FDX первого поколения выросла более чем в два раза; компания еще не предоставила достаточно подробных проектных данных для внешней независимой проверки. 0,5 ТГц здесь является показателем радиочастоты устройства, а не рабочей частоты процессора чипа.
GF позиционирует этот процесс как физический искусственный интеллект, то есть приложения, в которых устройства локально распознают окружающую среду, обрабатывают данные и своевременно реагируют, включая анализ границ, объединение датчиков, робототехнику, оборудование для автоматизации, автомобильную электронику, автономные системы и интеллектуальные подключенные устройства. При разработке основное внимание уделяется не просто поиску самых маленьких транзисторов, а попытке интегрировать датчики, вычисления, беспроводную связь, управление и хранение на одной платформе, чтобы уменьшить сложность системы, задержку и энергопотребление. GF заявила, что провела предварительные оценки с некоторыми клиентами, но еще не объявила о конкретных продуктах микросхем или заказах клиентов на массовое производство.
Согласно дорожной карте компании, демонстрационный чип FDX Fusion, как ожидается, будет доставлен клиентам для оценки в начале 2027 года, первая версия комплекта для технологического проектирования будет доступна в середине 2027 года, а цель массового производства — 2028 год. GF также пояснила, что развитие дрезденского проекта FDX Fusion по-прежнему зависит от того, одобрит ли федеральное правительство Германии предстоящий проект передовых полупроводниковых технологий IPCEI, поэтому дорожная карта все еще имеет условия утверждения политики.
Этот маршрут отличается от проекта, который GF приостановил в 2018 году. В то время компания отложила исследования и разработки 7-нанометрового FinFET на том основании, что это сосредоточит ресурсы на более специфических процессах и рынках; недавно анонсированный FDX Fusion основан на FD-SOI и ориентирован на низкое энергопотребление, радиочастоту и интеграцию смешанных сигналов. GF также продвигает план расширения SPRINT в Дрездене стоимостью 1,1 миллиарда евро с целью увеличения годовой производственной мощности завода до более чем 1 миллиона 300-миллиметровых пластин к концу 2028 года; это расширение мощностей охватывает весь бизнес завода, но не вся его мощность используется для FDX Fusion.
Комментарии