Аннотация:
MemSilicon объявила о завершении вывода из эксплуатации чипа RRAM высокой плотности и большой емкости первого поколения «MountTai 2026», основанного на технологии 1TnR.
Сообщается, что «Тайшань № 1» является важной вехой в продвижении компанией MemSilicon новой технологии микросхем памяти высокой плотности и большой емкости 1TnR от ранних исследований до коммерциализации чипов уровня Gb. Этот технический путь увеличивает емкость хранилища на единицу площади за счет совместного использования выбранных транзисторов с несколькими резистивными переключаемыми ячейками памяти и использует метод внутренней интеграции, который полностью совместим с платформой CMOS для достижения как плотности, емкости, так и стоимости.
В чипе используется 28-нм техпроцесс CMOS и модульная структура 1T4R с емкостью одного чипа 1 Гбит, плотностью 30 Мбит/мм², задержкой доступа менее 20 нс и встроенной схемой аппаратного исправления ошибок. Он обеспечивает совместный прорыв между большой емкостью, высокой плотностью и высокоскоростным чтением и обеспечивает конкурентоспособное на международном уровне решение для новых приложений энергонезависимого хранения данных с высокой плотностью и большой емкостью на кристалле.
В настоящее время «Тайшань №1» завершил запись на пленку и продвигается к проверке.
«Тайшань № 1» имеет структуру 1T4R, то есть один транзистор выбора соответствует четырем резистивным переключающим ячейкам памяти. Но совместное использование транзисторов не означает, что плотность и производительность количества ячеек памяти увеличиваются пропорционально. Нецелевые пути тока между несколькими ячейками памяти, помехи чтения и записи, а также надежность в различных условиях эксплуатации — все это требует совместной оптимизации устройств, процессов и схемотехники.
Комментарии