Аннотация:
На Глобальном саммите Open Compute Project (OCP 2026) 2026 года компания Intel продемонстрировала новейший план разработки технологии кремниевой фотоники, подчеркнув, что эта технология станет важной основой для будущих центров обработки данных высокопроизводительных вычислений (HPC) и искусственного интеллекта (ИИ). Ник Дюбе, вице-президент Intel Data Center Systems and Solutions, на встрече назвал кремниевую фотонику «золотым молотом» системной архитектуры следующего поколения и отметил, что Intel в настоящее время является единственным высокопроизводительным литейным заводом, способным крупномасштабное массовое производство кремниевых фотонных пластин из фосфида индия (InP) толщиной 300 мм.
Поскольку масштабы ускорителей искусственного интеллекта продолжают расширяться, то, как быстро перемещать данные между массивными графическими процессорами (GPU), центральными процессорами (CPU) и ресурсами памяти, стало ключевым фактором, определяющим общую производительность системы. Ник Дьюб сказал, что традиционные медные межсоединения все больше приближаются к физическим пределам и сталкиваются с серьезными узкими местами с точки зрения дальности передачи, плотности полосы пропускания на границе упаковки и потребления энергии передачи на бит (пДж/бит). Чтобы преодолеть эти ограничения, архитектура центров обработки данных должна ускорить переход от традиционных медных проводов к оптическим межсоединениям и повысить целевые показатели энергопотребления до уровня менее 5 пикоджоулей на бит (5 пДж/бит).
На уровне производства и основных технологий Ник Дьюб подчеркнул два основных конкурентных барьера Intel в области кремниевой фотоники. Прежде всего, Intel в настоящее время является единственным производителем пластин в отрасли, имеющим возможности крупномасштабного массового производства 300-миллиметровой фотоники на основе фосфида индия и кремния, и имеет возможность широкомасштабно внедрить эту технологию во всю отрасль. На современном рынке оптических трансиверов долгое время не хватало мощностей по производству лазерных чипов и материалов на основе фосфида индия. Intel напрямую интегрировала технологию источника света на основе фосфида индия в процесс производства кремниевых пластин большого размера диаметром 300 мм, что значительно повысило эффективность производства и производственные мощности. Во-вторых, Intel имеет уникальный многолетний опыт работы в области надежности интегрированных лазеров. С момента своего коммерческого запуска в 2016 году компания Intel уже более двух десятилетий активно участвует в области кремниевой фотоники и поставила более 8 миллионов оптических трансиверов и 32 миллиона встроенных лазеров. Эта проверенная надежность, проверенная в крупномасштабных реальных развертываниях, имеет решающее значение для системных архитектур, стремящихся внедрить конструкции интегрированных источников света.
Что касается приложений системного уровня и будущего развития, Intel полагается на свой 300-мм кремниевый фотонный процесс и технологию интегрированного источника света на основе фосфида индия, чтобы полностью способствовать развитию технологии совместно упакованной оптики (CPO) и почти упакованной оптики (NPO) для достижения более высокой плотности оптических соединений. Путем непосредственного внедрения интерфейсов оптических межсоединений на уровне упаковки будущая инфраструктура искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений не только устранит узкое место в высокоскоростной связи между чипами, но и расширит оптическое соединение от простого межсоединения на уровне чипа до более масштабного объединения вычислительных ресурсов и разделения памяти, тем самым изменяя общую системную архитектуру центра обработки данных с искусственным интеллектом следующего поколения.
Комментарии