Аннотация:
Во время выставки SEMICON Taiwan 2026, проходившей в Тайбэе, компания Samsung анонсировала свою новейшую дорожную карту по продуктам памяти, уделив особое внимание HBM5 и новой архитектуре zHBM. Samsung заявила, что HBM5 стремится достичь примерно вдвое большей общей производительности по сравнению с HBM4E, одновременно увеличивая энергопотребление на 20% и снижая тепловое сопротивление на 20%.
HBM5 будет использовать 2-нм техпроцесс собственной разработки Samsung для производства базового кристалла, заменив 4-нм процесс, используемый в HBM4 и HBM4E. Количество слоев укладки продукции также будет расширено до 12, 16 и 20 слоев, и ожидается, что массовое производство будет запущено примерно в 2028 году.
Samsung также недавно подтвердила в превью-материалах конференции Hot Chips 2026, что компания готовится к запуску HBM4E с целевой скоростью 16 Гбит/с на вывод. HBM4, который в настоящее время поставляется компанией Samsung, имеет скорость 11,7 Гбит/с на вывод.
По сравнению с традиционной конструкцией HBM, в которой память размещается рядом с ускорителем, в zHBM применяется более радикальный метод вертикальной интеграции, размещающий память непосредственно над процессором, тем самым сокращая путь передачи данных и улучшая пропускную способность и энергоэффективность. Samsung прогнозирует, что производительность zHBM в 8 раз выше, чем у HBM4E, а энергопотребление устройства достигнет 3 раз, при этом тепловое сопротивление снизится на 75–90%.
Samsung продемонстрировала первые в отрасли концептуальные продукты zHBM на выставке FMS 2026, и ожидается, что эта новая архитектура будет запущена после 2029 года. Редизайн архитектуры HBM, похоже, стал направлением развития отрасли. NVIDIA также недавно анонсировала специальное решение для памяти NVHBM, которое переносит контроллер памяти с вычислительного кристалла на базовый кристалл HBM.
В области NAND компания Samsung разрабатывает zNAND-O, образец которого будет поставлен в 2028 году. Целью продукта является достижение в 10 раз большей плотности битов, эквивалентной DRAM, при этом обеспечивая примерно в 7 раз большую пропускную способность чтения при сохранении энергоэффективности традиционной NAND.
Конкуренция, с которой сталкивается Samsung, также усиливается. Помимо SK Hynix, китайский производитель систем хранения данных Yangtze Memory также недавно выдвинул амбициозные цели, планируя превзойти Samsung и SK Hynix к концу 2027 года.
На саммите Memory Executive Summit, состоявшемся накануне мероприятия, компания Samsung также представила систему разработки памяти под названием C.UBE, что означает емкость, использование, пропускную способность и эффективность. Стратегия включает увеличение емкости без увеличения площади печатной платы за счет вертикального расширения емкости памяти; использование оптимизированной 3D-архитектуры для уменьшения задержки; использование вертикальных высокоскоростных каналов для замены традиционных горизонтальных путей передачи данных; и улучшение контроля энергопотребления и управления рассеиванием тепла на битовом уровне.
Комментарии