SK Hynix демонстрирует технологию памяти AI нового поколения, выходящую за рамки HBM

📅 2026-10-16

Аннотация:

SK Hynix заявила в пятницу, что продемонстрировала свою технологию памяти искусственного интеллекта (ИИ) следующего поколения, целью которой является расширение границ инфраструктуры ИИ за пределы традиционной памяти с высокой пропускной способностью (HBM). Компания представила эти технологии на OCP Global Summit 2026, который проходит в Калифорнии, США, со вторника по четверг по местному времени. Саммит — это ежегодная конференция, организованная Фондом Open Compute Project Foundation (OCP Foundation), которая объединяет инженеров и лидеров отрасли.

Южнокорейский гигант микросхем заявил, что его выставочная площадь разделена на две части.

В передней части, известной как «Зона хранения», представлены флагманские продукты компании, а в более крупной задней части, известной как «Зона демонстрации системы», основное внимание уделяется решениям хранения данных, предназначенным для поддержки экосистемы серверов следующего поколения.

Ким Хо-сик, старший вице-президент SK Hynix, представил MARS (Memory-Centric AI Rack-Scale System) — разделенную архитектуру уровня стойки, предназначенную для обеспечения беспрепятственного взаимодействия вычислительных ресурсов и ресурсов хранения.

Ким рассказал о прогрессе в области High Bandwidth Flash (HBF), технологии, разработанной для удовлетворения растущего спроса отрасли на емкость хранения данных.

Кроме того, компания также выпустила хранилище второго поколения емкостью 256 ГБ на основе стандарта Compute Express Link (CXL) 3.2. По сравнению с продуктом предыдущего поколения, пропускная способность этого продукта увеличена более чем в два раза, а энергоэффективность также повышена примерно на 30%.

Связанные теги

Похожие статьи

Прибыль Samsung Electronics достигла нового максимума, поскольку бум искусственного интеллекта приводит к сохранению высокого спроса на чипы 2026-10-08 Changxin Memory делает ставку на новую архитектуру DRAM и, как ожидается, достигнет коммерческого прорыва на два года раньше, чем Samsung. 2026-10-11 Разработка технологии гибридного соединения HBM компании SK Hynix сталкивается с препятствиями, Samsung может временно лидировать в конкурсе памяти следующего поколения с высокой пропускной способностью 2026-10-08 Yangtze Memory ожидает, что глобальный дефицит флэш-памяти NAND продлится еще три года, а спрос на ИИ может продолжать сжимать потребительский рынок хранения данных. 2026-10-06 В финансовом отчете Micron говорится, что цены на память вряд ли значительно упадут, а роботы-гуманоиды вызовут новую волну спроса на хранилища. 2026-10-01 Ходят слухи, что цена на серию Galaxy S27 вырастет, а топовая версия Ultra емкостью 1 ТБ может приблизиться к 2000 долларов США. 2026-10-01

Комментарии

0/500
Captcha (click to refresh)
Нет комментариев