Источники сообщают, что Samsung и SK Hynix модернизируют свои китайские заводы для производства более совершенных чипов флэш-памяти.

Аннотация:

21 октября агентство Reuters сообщило, что Samsung Electronics и SK Hynix модернизируют свои китайские заводы для производства более совершенных чипов флэш-памяти, чтобы противостоять конкуренции со стороны быстрорастущих китайских конкурентов и удовлетворить огромный спрос на искусственный интеллект, сообщили четыре человека, знакомых с ситуацией.

SK Hynix

Поскольку в 2022 году Соединенные Штаты начали вводить контроль над экспортом некоторого оборудования для производства микросхем, нормативные препятствия ограничили возможности обеих компаний по модернизации заводов, а также привели к сокращению их доли на рынке из-за Yangtze Memory. Теперь обе компании должны ежегодно подавать заявку на получение лицензий в Соединенных Штатах, если они хотят установить оборудование американского производства, такое как гравировальные машины, на заводах в Китае. Yangtze Memory добилась успехов в то время, когда Samsung и SK Hynix боролись с тем, сколько им следует инвестировать в заводы в Китае.

Данные исследовательской компании Omdia показывают, что

на долю памяти Yangtze Memory во втором квартале приходилось 38,5 % китайского рынка NAND, по сравнению с 28 % за весь 2025 год и обогнав Samsung

36% до 33,5%

20% до 17%

Samsung и SK Hynix подтвердили в заявлениях Reuters, что модернизация ведется в тесном сотрудничестве с Вашингтоном, но не раскрыли детали производственного плана.

Однако Reuters не удалось определить, сколько лицензий на экспорт одобрили власти США для оборудования, необходимого для планов модернизации Samsung и SK Hynix.

По словам людей, знакомых с ситуацией, обе компании усердно работают над производством чипов флэш-памяти NAND с более чем 200 слоями на китайских заводах, чтобы довести уровень производства до уровня южнокорейских заводов. NAND — это микросхема памяти, способная сохранять данные даже после отключения электроэнергии. Он широко используется в твердотельных накопителях, используемых в смартфонах, персональных компьютерах и центрах обработки данных искусственного интеллекта. Чем больше слоев имеет один чип, тем выше плотность хранения и тем ниже стоимость.

Завод Samsung в Сиане на северо-западе Китая в настоящее время производит около 200 слоев чипов, сообщили два человека, знакомых с ситуацией. Продукция завода составляет около 40% от общего мирового производства флэш-памяти NAND компании Samsung. Samsung продвигает проект под кодовым названием «Monami». Имя имеет французское происхождение и означает «мой друг». В рамках этого проекта Samsung преобразует этот завод для производства 286-слойных микросхем флэш-памяти V9 NAND с целью достичь ежемесячного производства 5000 пластин в декабре этого года и значительно увеличить ежемесячное производство до 40 000 пластин в декабре 2027 года.

В компании Samsung заявили, что обновление соответствует правилам экспортного контроля США. «Эта модернизация предназначена для удовлетворения растущих потребностей клиентов по всему миру, включая клиентов в США. Компания не расширяла производственные мощности и не строила новые производственные мощности».

SK Hynix планирует переместить свой завод в Далянь на северо-востоке Китая для производства флэш-памяти NAND с 240 и более слоями, сообщили три человека, знакомых с ситуацией. В настоящее время фабрика производит 192-слойную продукцию. Компании разрешено производить чипы с количеством слоев до 240 в Даляне, и она может запросить одобрение Вашингтона на разработку чипов с более чем 300 слоями на местном уровне, говорят люди, знакомые с этим вопросом, что поможет ей заложить основу для потенциального будущего производства в Соединенных Штатах. Компания ведет переговоры с администрацией Трампа о планах строительства нового завода NAND в США.