Аннотация:
Китайский производитель микросхем флэш-памяти Yangtze Memory Technology Co., Ltd. (YMTC) расширяет свою технологическую схему с флэш-памяти NAND на память DRAM. Согласно информации, недавно раскрытой Counterpoint Research, компания Yangtze Memory разрабатывает продукты памяти с низким энергопотреблением со скоростью передачи данных 9600 МТ/с и планирует развивать массовое производство на своем третьем заводе по производству пластин в Ухане. Это означает, что Yangtze Memory пытается выйти на рынок DRAM, на котором уже давно доминируют Samsung, SK Hynix, Micron и другие компании.
Согласно отчету компании Counterpoint Research, компания Yangtze Memory с октября 2025 года занимается разработкой и тестированием памяти LPDDR5 второго поколения емкостью 16 ГБ на своем втором заводе по производству пластин. Целевая скорость передачи данных составляет 7500 МТ/с, а ежемесячная производственная мощность соответствующих производственных линий составляет около 5000 пластин. Однако этот проект все еще находится на стадии исследований, разработок и испытаний, и в отчете не указано, что продукт запущен в крупномасштабное коммерческое производство.
На этой основе Yangtze Storage также разрабатывает более скоростную версию со скоростью 9600 МТ/с. В отличие от научно-исследовательского проекта предыдущего поколения, в новом решении планируется использовать транзисторы с вертикальным каналом (VCT) и архитектуру ячеек памяти 4F², а также планируется стимулировать массовое производство на третьем заводе по производству пластин. Следует отметить, что существующая информация описывает цели НИОКР и планы на будущее производство, а не подтверждает, что изделие 9600 МТ/с прошло проверку или официально поступило в серийное производство.
Ключом к этому техническому пути является дальнейшее уменьшение площади, занимаемой ячейками хранения DRAM. Традиционная DRAM обычно использует компоновку ячеек памяти 6F², где F представляет собой минимальный размер элемента в технологическом процессе. Архитектура 4F² пытается уменьшить площадь плоскости, занимаемую каждым блоком памяти, за счет вертикального расположения транзисторов и других структур, тем самым увеличивая емкость хранения, которую можно интегрировать на единицу площади кристалла.
Если архитектура 4F² сможет обеспечить стабильное производство с использованием передовых процессов, теоретически появится возможность увеличить плотность интеграции микросхем DRAM и создать возможности для снижения затрат на единицу мощности. Однако эта архитектура также сталкивается с проблемами в структуре транзисторов, производственном процессе, контроле утечек, надежности и производительности. Даже если лабораторный прототип может достичь заданной скорости, это не означает, что он обладает всеми характеристиками, необходимыми для крупномасштабного коммерческого производства.
Выбор Yangtze Storage этого направления связан с накоплением существующих технологий. Компания известна своим бизнесом по производству флэш-памяти NAND. Технология Xtacking повышает гибкость проектирования и производства флэш-памяти за счет отдельного изготовления массива хранения данных и периферийных схем, а затем их интеграции посредством соединения. Counterpoint Research полагает, что Yangtze Memory пытается распространить соответствующий технический опыт на область DRAM. Однако между NAND и DRAM существуют очевидные различия в структуре запоминающего устройства, рабочем механизме и производственных требованиях. Невозможно просто поверить, что успех в области флэш-памяти можно напрямую скопировать на рынок памяти.
Стоит отметить, что Yangtze Storage — не единственный китайский производитель систем хранения данных, пробующий использовать архитектуру 4F². Другой производитель DRAM, Changxin Memory (CXMT), также изучает этот технологический путь и планирует к концу 2026 года выпустить зарегистрированные двухрядные модули памяти DDR5 на базе архитектуры 4F². Однако этот план также сталкивается с неопределенностью в технической проверке и осуществимости массового производства.
Международные гиганты систем хранения данных с осторожностью относятся к перспективам архитектуры 4F². Micron Technology ранее публично ставила под сомнение фундаментальные проблемы дальнейшего сокращения структуры этой единицы памяти, полагая, что для ее крупномасштабного применения все еще существуют непреодолимые технические препятствия. Это отражает то, что текущая индустрия DRAM еще не достигла единогласного мнения о техническом пути архитектуры ячеек памяти следующего поколения. Смогут ли Yangtze Storage и Changxin Storage решить эти проблемы с помощью различных технических решений, еще предстоит проверить с помощью последующих продуктов и производственных данных.
В то же время время выхода Yangtze Memory на рынок DRAM также связано с изменениями спроса и предложения в мировой индустрии хранения данных. Быстрое расширение центров обработки данных с искусственным интеллектом привело к росту спроса на высокоскоростную память, серверную DRAM и твердотельные накопители. Samsung, SK Hynix и Micron вкладывают много ресурсов в продукты хранения данных, связанные с искусственным интеллектом, а на память, используемую в обычных компьютерах и смартфонах, также влияют изменения в структуре поставок. Если китайские производители смогут стабильно выпускать продукты DRAM с качественными характеристиками и конкурентоспособной ценой, у них появится возможность увеличить долю рынка отечественной памяти.
Однако влияние этого плана исследований и разработок на мировой рынок памяти невозможно переоценить в краткосрочной перспективе. Компания Counterpoint Research отметила, что прогресс в исследованиях и разработках продуктов Yangtze Memory со скоростью 9600 МТ/с, статус проверки клиентов и статус выполнения массового производства третьей фабрики по производству пластин — все это показатели, за которыми необходимо внимательно следить в будущем. В настоящее время недостаточно общедоступной информации, чтобы доказать, что продукт достиг целевых характеристик, и нет четкого графика массового производства, производственных данных или информации об объемах производства.
Кроме того, 9600 МТ/с — это лишь один из показателей скорости передачи данных и сам по себе не может определять общую конкурентоспособность продукции памяти. Для памяти с низким энергопотреблением, такой как LPDDR5X, одинаково важны энергопотребление, тепловыделение, стабильность, емкость, схема упаковки, совместимость и стоимость. Даже если Yangtze Memory в конечном итоге сможет достичь такой скорости, производители терминалов все равно должны будут проверить ее, прежде чем она сможет войти в цепочку поставок смартфонов, ноутбуков или других устройств.
В долгосрочной перспективе Yangtze Storage пытается разрушить первоначальное разделение труда в сфере хранения данных в Китае. В прошлом основным направлением деятельности Yangtze Memory была флэш-память NAND, а Changxin Memory в основном занималась разработкой памяти DRAM. Сегодня обе компании осваивают рынки друг друга, и будущая конкуренция может касаться не только скорости и цены продукции, но также распространяться на производственные процессы, архитектуру ячеек памяти, структуру патентов и масштаб производственных мощностей.
В целом компания Yangtze Memory разработала память LPDDR со скоростью 9600 МТ/с и планирует развивать массовое производство на своем третьем заводе по производству пластин, показывая, что она активно расширяет свой бизнес DRAM. Но это все еще план, который нуждается в технической проверке и крупномасштабных производственных испытаниях, а не зрелый продукт, уже представленный на рынке. В будущем то, что действительно будет определять, сможет ли он бросить вызов международным гигантам хранения данных, будет производительность продукции, производительность производства, контроль затрат и способность продолжать расширять производственные мощности.
Комментарии