По сообщениям зарубежных СМИ, после того как компания Samsung, крупный производитель чипов памяти, получила от правительства США «бессрочное освобождение» от налогов для своих заводов в Китае, заводы Samsung в Китае смогут импортировать американское чиповое оборудование для модернизации или расширения производства без обращения за специальной лицензией. Согласно отчету,Получив освобождение, руководители Samsung решили модернизировать свой завод флэш-памяти NAND в Сиане (Китай) до технологии 236-слойного стека и готовятся начать масштабное расширение производства.
Посетите страницу покупки:
SAMSUNG — Флагманский магазин Samsung
△Чип Samsung 1TbitGen8V-NAND
В отчете цитируются источники, сообщающие, что Samsung начала резервировать и закупать новейшее полупроводниковое оборудование для следующего процесса преобразования.
Ожидается, что новое оборудование будет доставлено к концу 2023 года, а технология, способная производить V-NAND 8-го поколения Samsung, будет постепенно внедрена на заводе в Сиане в 2024 году. Количество слоев стека достигнет 236, что на 34% больше по сравнению со 176 слоями V-NAND 7-го поколения.
В отрасли это также рассматривается как план ответа на текущий слабый мировой спрос на флэш-память NAND, который привел к снижению производственных мощностей.
Согласно общедоступным данным, компания Samsung China Semiconductor Co., Ltd. обосновалась в зоне высоких технологий в Сиане в 2012 году.
Среди них завод Samsung Semiconductor в Сиане — единственная зарубежная база компании по производству полупроводников памяти. Он начал свою деятельность в 2014 году, а в 2020 году добавил второй завод.В основном компания производит 128-слойную флэш-память NAND Flash с ежемесячной производственной мощностью 200 000 12-дюймовых пластин, что составляет более 40% от общего объема производства NAND Flash компании Samsung.
Данные показывают, что у Samsung есть заводы по производству чипов памяти в Сиане и Сучжоу на материковом Китае.
Среди них завод в Сиане — крупнейший инвестиционный проект Samsung в Китае, в основном производящий чипы флэш-памяти 3D NAND. В первую очередь завода Samsung China в Сиане было инвестировано 10,87 миллиарда долларов США. Начиная с 2017 года, Samsung приступила к реализации второго этапа проекта с общим объемом инвестиций в 15 миллиардов долларов США на два этапа.
В настоящее время ежемесячная производственная мощность завода Samsung в Сиане достигнет 265 000 12-дюймовых пластин, что составит 42% от общего мирового производства чипов флэш-памяти Samsung NAND.
В 2022 году объем производства завода Samsung Semiconductor в Сиане превысит 100 миллиардов юаней.