Аннотация:
CXMT предстоит серьезное испытание на производительность на пути к передовой памяти с высокой пропускной способностью (HBM). По данным технологического СМИ wccftech, ссылающегося на исследования отраслевых цепочек поставок и последние отчеты, опубликованные корейской промышленностью, Changxin Memory столкнулась с серьезными технологическими узкими местами во время пробного производства 8-слойных сложенных частиц памяти HBM3 для вычислительных чипов искусственного интеллекта. Комплексная ставка доходности долгое время колеблется в низком диапазоне от 25% до 30%. Если наложить чрезвычайно строгие требования к окончательной упаковке, тестированию и оценке производительности, почти 80% чипов, находящихся в автономном режиме, даже не проходят финальный контрольный тест. Фактическая совокупная доходность сталкивается с огромными проблемами.
Являясь основой китайской индустрии полупроводниковых устройств хранения данных, компания Changxin Memory за последние годы добилась значительных прорывов в производстве обычных микросхем памяти DDR4 и 17-нм DDR5. Сообщается, что доходность традиционной памяти DRAM превысила 90%, и она быстро завоевала долю рынка на основных мировых рынках потребительской и серверной памяти. Однако по сравнению с традиционными планарными однослойными модулями DRAM технология HBM имеет огромную разницу в сложности упаковки. Он не только требует вертикальной установки нескольких кристаллов DRAM, но также опирается на высокоточное сквозное соединение кремния (TSV), микроударную сварку и сложные современные упаковочные материалы. Этот высокопороговый производственный процесс предъявляет чрезвычайно строгие требования к управлению процессом. Любые однослойные дефекты кристалла или ошибки выравнивания микромежсоединений напрямую приведут к утилизации всего дорогостоящего многослойного чипа HBM.
Чип HBM3 компании Changxin Memory в основном производится по 16-нанометровому техпроцессу и использует 8-слойную архитектуру вертикального стека. Из-за отсутствия поддержки систем литографии в сильном ультрафиолете (EUV) компаниям приходится в значительной степени полагаться на решения многократного воздействия глубокого ультрафиолета (DUV) с множеством дополнительных технологических этапов, что практически удваивает количество дефектов и сложность контроля стресса при упаковке. После завершения изготовления пластин и предварительного ламинирования выход чернового материала сохранялся лишь на уровне около четверти. При последующей окончательной оценке качества целостности высокочастотного сигнала, энергопотребления и долгосрочной стабильности только около 70% сохранившихся образцов едва смогли соответствовать стандартам. В результате из каждых 100 чипов HBM3, сошедших с конвейера, только около 20 могли действительно соответствовать коммерческим стандартам поставки.
Напротив, три традиционных гиганта мирового рынка HBM, SK Hynix, Samsung Electronics и Micron Technology, прошли годы совершенствования производственных линий. Производительность их производственных линий HBM3 и более совершенных HBM3E неуклонно выросла до зрелого уровня 60% или даже выше, и они неуклонно движутся к архитектуре HBM4 следующего поколения. Текущий уровень доходности Changxin Memory, составляющий около 25%, означает, что невозвратные затраты на утилизированные пластины и материалы для производства одного пригодного для использования чипа HBM чрезвычайно высоки, что напрямую ограничивает темпы крупномасштабных поставок отечественным заказчикам вычислительных процессоров искусственного интеллекта, таким как Huawei Ascend, Cambrian и Alibaba Pingtouge.
Хотя первоначальный низкий уровень выхода продукции привел к огромным финансовым потерям и потерям производственных мощностей для Changxin Memory, возможность провести весь физический процесс укладки и проверки HBM3 в среде строгого внешнего экспортного контроля и технической блокады по-прежнему означает, что China Semiconductor пересекла самый трудный порог проверки прототипа в области продвинутой гетерогенной интеграции. Для Changxin Storage основное предложение на данном этапе сместилось с «можно ли его изготовить» на «как решить проблему рентабельности». Благодаря непрерывной доработке последующего процесса упаковки методом горячего прессования, накоплению опыта в области параметров производственных линий и совместной оптимизации с местными гигантами упаковки и тестирования, сможет ли Changxin Storage увеличить общую производительность до экономически обоснованной линии безубыточности в течение запланированного цикла массового производства с конца 2026 по 2027 год, станет ключевым решающим моментом в определении самодостаточности отечественной цепочки поставок вычислительной мощности для ИИ.
Комментарии