Аннотация:
Поскольку спрос на передовую память со стороны искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислений и мобильных устройств следующего поколения продолжает расти, южнокорейский гигант микросхем памяти SK Hynix ускоряет переход на процесс DRAM последнего поколения 1c. Последние новости отрасли показывают, что компания масштабно корректирует структуру своих производственных мощностей и планирует перевести все больше и больше продуктов DRAM на производство узлов шестого поколения по 10-нм техпроцессу 1c и, как ожидается, в ближайшие несколько кварталов займет доминирующее положение в этом процессе.
Данные показывают, что в первом квартале 2026 года на долю 1c DRAM приходилось лишь около 10 % от общего производства DRAM SK Hynix; во втором квартале он увеличился примерно до 13%. Ожидается, что после вступления в третий квартал эта доля значительно вырастет до 24%, а к четвертому кварталу более трети продуктов DRAM будет производиться с использованием процесса 1c, что составит около 34%. Согласно текущему плану, к первому кварталу 2027 года доля процесса 1c увеличится примерно до 35%, впервые превысив долю текущего узла основного процесса 1b, составляющую около 33%, и став самой важной производственной платформой SK Hynix DRAM.
Инсайдеры отрасли отмечают, что технологические узлы DRAM и процессы производства логических микросхем не могут просто совпадать. Производители накопителей обычно различают разные поколения 10-нанометровой технологии DRAM по «1a, 1b, 1c» и другим методам. Основные различия отражаются в плотности транзисторов, количестве слоев EUV-литографии и общей сложности производства. Фактический размер конструкции широко используемого в настоящее время процесса 1b компании SK Hynix составляет от 12 до 13 нанометров, и в нем используется около 4 слоев технологии EUV-литографии; в то время как новый процесс 1c дополнительно сокращается примерно до 11–12 нанометров, при этом используется 5–6 слоев технологии EUV-литографии для достижения более высокой плотности и большей энергоэффективности.
Согласно плану, процесс 1c будет осуществлять производство многих ключевых продуктов SK Hynix в будущем, включая высокоскоростную память HBM4E для рынка искусственного интеллекта, мобильную память LPDDR6 нового поколения, а также продукты памяти DDR5 для серверов и настольных компьютеров. Текущий основной процесс 1b в основном используется в таких продуктах, как DDR5, LPDDR5X, HBM3E и HBM4.
С точки зрения промышленной конкуренции Samsung Electronics и Micron также продвигают трансформацию процессов 1с, но SK Hynix быстро сокращает разрыв и, как ожидается, догонит. В настоящее время около 16% производства DRAM у Samsung приходится на процесс 1c, а у Micron — примерно 19%, что выше, чем показатель SK Hynix в 13% во втором квартале. Однако благодаря быстрому переключению производственных мощностей во второй половине года ожидается, что SK Hynix обгонит в четвертом квартале и станет одним из производителей с крупнейшими производственными мощностями 1c DRAM в мире.
Аналитики считают, что одной из важных причин, по которой SK Hynix активно продвигает процесс 1с, является то, что ее лидирующее преимущество на рынке памяти с высокой пропускной способностью продолжает расширяться. Поскольку спрос на серверы искусственного интеллекта стремительно растет, HBM стал одним из наиболее важных высокодоходных продуктов, а процесс 1c станет важной технической основой для следующего поколения HBM4E. Завершив внедрение передовых процессов досрочно, компания надеется еще больше укрепить свои конкурентные позиции на рынке ИИ-хранилищ.
Однако по мере того, как сокращение объемов DRAM продолжает расти, отрасль также сталкивается с новыми техническими проблемами. Традиционная планарная структура ячеек памяти 6F² становится все ближе и ближе к физическому пределу, а сложность и стоимость дальнейшего уменьшения размера растут. Поэтому производители памяти, включая SK Hynix, начали исследования транзисторной архитектуры следующего поколения с вертикальным затвором 4F² и технологии стекирования 3D DRAM, надеясь преодолеть существующие технические узкие места за счет новых структурных разработок.
Хотя архитектура следующего поколения все еще находится на стадии исследований и разработок, в отрасли в целом полагают, что процесс 1c продолжит играть ключевую роль в ближайшие несколько лет. Для SK Hynix это не только рутинная модернизация процесса, но и важный стратегический поворот в конкуренции за высокопроизводительные СХД в эпоху искусственного интеллекта.
Комментарии