Аннотация:
Ожидается, что китайская компания по производству чипов памяти Changxin Memory (CXMT) официально запустит массовое производство памяти HBM3E с высокой пропускной способностью до конца 2026 года, что станет первым случаем, когда местный китайский производитель выйдет на передовой рынок HBM. Этот прогресс считается важной вехой для китайской отраслевой цепочки искусственного интеллекта, направленной на улучшение ее независимых поставок.
Согласно последним новостям отрасли, Changxin Storage планирует начать массовое производство HBM3E в течение следующих двух месяцев. В августе этого года компания начала пробное производство HBM3E и предоставила образцы некоторым клиентам. Сегодня сопутствующие продукты постепенно выходят на стадию коммерциализации.
HBM — одна из наиболее важных технологий хранения данных для современных ускорителей искусственного интеллекта, графических процессоров центров обработки данных и высокопроизводительных вычислительных систем. Благодаря своей способности обеспечивать гораздо более высокую пропускную способность, чем традиционная DRAM, HBM стал незаменимым основным компонентом для обучения и запуска крупномасштабных моделей искусственного интеллекта. В настоящее время мировой рынок БЧМ в основном контролируют SK Hynix, Samsung Electronics и Micron.
В соответствии со стандартами JEDEC, HBM3E использует 1024-битную шину, а скорость передачи по одному контакту может достигать 9,2–12,4 Гбит/с. Основная конфигурация обычно составляет 9,6 Гбит/с. Его общая пропускная способность составляет примерно 1,2 ТБ/с, и он может обеспечивать конфигурации емкости от 24 ГБ до 36 ГБ, включая два основных решения: 8-уровневое стекирование и 12-уровневое стекирование.
Однако массовое производство для Changxin Storage непростая задача. Новости отрасли показывают, что HBM3E по-прежнему сталкивается с проблемами урожайности. Поскольку HBM использует многослойные кристаллы DRAM для вертикальной укладки через TSV через кремний с помощью технологии, которая требует чрезвычайно сложных производственных и упаковочных процессов, производительность стала важным фактором, ограничивающим расширение производственных мощностей.
Источники сообщили, что текущий общий уровень доходности Changxin Storage HBM3E составляет от 20% до 30%, что значительно ниже уровня ведущих мировых производителей. Среди них процент выхода на этапе изготовления пластин составляет около 30%. После ввода конечной упаковки процент прохождения можно повысить примерно на 70%. Однако, в конечном итоге, общий уровень доходности все еще имеет много возможностей для улучшения.
Отраслевые аналитики считают, что самая большая техническая проблема для Changxin Storage в настоящее время связана с зрелостью технологии TSV. По сравнению с международными производителями, в процессе укладки все еще существует определенный разрыв. Например, в эпоху HBM2 компания Samsung использует около 5000 соединений TSV на одном уровне, а SK Hynix превысила 8000 на продуктах HBM3. Changxin Memory пытается использовать около 3000 TSV для реализации конструкции HBM3E, которая предъявляет более высокие требования к точности и надежности производства.
Ожидается, что компания Changxin Storage, ограниченная соответствующими техническими факторами, в краткосрочной перспективе сосредоточится на 8-слойных продуктах HBM3E и в настоящее время не будет быстро переходить на 12-слойные продукты большей емкости.
В то же время несколько информационных агентств сообщили, что Changxin Memory предоставила отечественным производителям микросхем искусственного интеллекта две версии образцов HBM3E, включая стандартную версию и новую версию, оптимизированную по производительности. Соответствующие образцы в настоящее время проходят испытания и проверку на стороне заказчика.
Что касается производительности, предварительные тесты показывают, что общая производительность текущих продуктов HBM3E компании Changxin Storage ближе к HBM3 предыдущего поколения SK Hynix, но все еще существует разрыв по сравнению с продуктами HBM3E, передовыми на международном уровне. Однако представители отрасли отметили, что для производителей, которые только что вступили на путь HBM, достижение массового производства само по себе является крупным прорывом.
Аналитики полагают, что даже если текущий уровень доходности не высок, у Changxin Storage все еще есть мотивация продолжать продвигать массовое производство. Поскольку спрос китайских производителей микросхем искусственного интеллекта на память с высокой пропускной способностью быстро растет, важность местных источников поставок HBM продолжает расти. В условиях ограниченного предложения передовых систем хранения данных для искусственного интеллекта и давления, вызванного ограничениями на импорт, на внутреннем рынке существует очевидный спрос на продукцию HBM.
В последнее время на рынке наблюдается рост цен на чипы искусственного интеллекта, и одной из важных причин обычно считается предложение памяти с высокой пропускной способностью. Компании-производители чипов, в том числе Alibaba Pingtouge и Cambrian, ранее тестировали отечественные решения HBM в надежде снизить свою зависимость от зарубежных цепочек поставок.
Отрасль прогнозирует, что, если проверка клиентов пройдет гладко, отечественные продукты-ускорители искусственного интеллекта, использующие Changxin Storage HBM3E, как ожидается, выйдут на рынок уже в 2027 году. Несмотря на то, что все еще существует технологический разрыв в одно-два поколения по сравнению с ведущими мировыми производителями, выход Changxin Storage на область HBM означает, что местная экосистема аппаратного обеспечения искусственного интеллекта в Китае завершает ключевые части головоломки и начинает бросать вызов рынку высокопроизводительных систем хранения данных с искусственным интеллектом.
Комментарии