Аннотация:
Руководители Intel недавно заявили в публичных интервью, что разрыв между компанией и TSMC в области передовых технологий сократился до «всего нескольких процентных пунктов». Самая большая проблема в догоне с лидерами отрасли в будущем — это уже не сама технология, а то, как создать систему масштабов производства и производственных мощностей, соответствующую конкурентам.
В подкасте Dwarkesh технический директор Intel Пушкар Ранаде отметил, что с точки зрения чистой технологии и производительности расстояние между Intel и TSMC уже весьма ограничено. Он считает, что основной задачей, стоящей перед компанией, является расширение масштабов производства передовых процессов, и для завершения этого процесса потребуется много времени. Другими словами, конкурентную среду определяет не только сам технологический узел, но и то, кто может стабильно и экономично производить современные чипы в больших масштабах.
В то же время Крис Ос, вице-президент и генеральный менеджер отдела развития производства и сотрудничества с клиентами Intel, сосредоточил внимание на технологии литографии в крайнем ультрафиолете с высокой числовой апертурой (High-NA EUV). Он сказал, что, поскольку Intel первой внедрила технологию Backside Power Delivery, у компании есть уникальное преимущество при использовании оборудования High-NA EUV.
EUV с высокой числовой апертурой широко считается ключевой технологией для производства чипов следующего поколения. По сравнению с существующим оборудованием EUV, его более высокая числовая апертура может улучшить разрешение литографии, давая производителям микросхем возможность создавать более тонкие схемы с меньшим количеством этапов экспонирования. Ожидается, что это не только уменьшит сложность производства, но и снизит производственные затраты. В отчете отмечается, что эта технология может поддерживать производство передовых моделей с шагом шага примерно от 8 до 16 нанометров, обеспечивая поддержку будущих конструкций чипов с более высокой плотностью.
Крис Ос пояснил, что архитектура заднего блока питания, принятая Intel, переносит сеть электропитания, первоначально расположенную на передней части пластины, на заднюю часть пластины, тем самым освобождая больше места для размещения передних транзисторов и линий передачи данных. Такая конструкция эффективно снижает давление на расстояние между линиями на входе и позволяет конструкции чипа иметь более свободный допуск во время процесса фотолитографии.
По его словам, благодаря своей технологии внутреннего источника питания Intel может напрямую использовать High-NA EUV для завершения производства соответствующей графики. Поскольку TSMC не использует ту же архитектуру блока питания, в некоторых конструкциях ей приходится поддерживать меньший интервал между линиями. Поэтому она не может полностью полагаться на High-NA EUV для завершения производства. Для достижения своих целей ему по-прежнему приходится полагаться на процессы EUV с двойным шаблоном.
Он также сообщил, что процесс Intel следующего поколения 14A в настоящее время открыт для клиентов в качестве опции в комплекте проектирования процесса (PDK). Что касается принятия этого процесса, компания проведет индивидуальные обсуждения и сотрудничество, исходя из потребностей различных клиентов.
В отрасли считают, что это заявление еще раз показывает, что Intel активно продвигает развертывание EUV High-NA вокруг узла 14A. На рынке ходили слухи, что High-NA EUV может сначала использоваться в процессе 18A, но, судя по информации, раскрытой на этот раз, 14A стал одной из ключевых платформ Intel для планирования усовершенствованного процесса следующего поколения.
Поскольку конкуренция в мировой полупроводниковой промышленности продолжает обостряться, Intel пытается восстановить свое конкурентное преимущество за счет сочетания таких технологий, как задний источник питания, EUV с высокой числовой апертурой и процесс нового поколения 14A. Хотя руководители компании считают, что они близки к TSMC на техническом уровне, перед Intel по-прежнему стоят долгосрочные и трудные задачи с точки зрения крупномасштабного производства передовых процессов, экологии для клиентов и расширения мощностей.
Комментарии