По словам инсайдеров отрасли, Samsung Electronics, крупнейший в мире производитель чипов памяти, создал в США новую исследовательскую лабораторию для разработки нового поколения 3DDRAM. Лаборатория является филиалом компании Device Solutions America (DSA), штаб-квартира которой находится в Силиконовой долине и отвечает за производство полупроводников Samsung в США. Он будет посвящен разработке обновленных моделей DRAM, которые позволят Samsung занять лидирующие позиции на мировом рынке чипов 3D-памяти.
В октябре прошлого года компания Samsung Electronics сообщила, что готовит новую 3D-структуру для DRAM размером менее 10 нанометров, позволяющую увеличить емкость одного кристалла, которая может превышать 100 гигабит.
В 2013 году компания Samsung Electronics впервые в отрасли успешно вывела на рынок вертикальную флэш-память 3D NAND.