Сообщается, что Samsung продвигает разработку 2-нм специализированных логических чипов HBM.

По сообщениям корейских СМИ, компания Samsung Semiconductor продвигает новый 2-нанометровый технологический проект для высокоскоростной памяти (HBM) и планирует разрабатывать индивидуальные логические чипы HBM для различных потребностей клиентов. В отчете цитируются инсайдеры отрасли, которые говорят, что, хотя конкретный список клиентов еще не раскрыт, команда разработчиков HBM Samsung начала предварительные исследования следующего поколения продуктов, использующих «продвинутые до 2 нанометров» процессы литья пластин, чтобы заложить основу для будущих поколений решений HBM.

Пока неясно, будет ли план в конечном итоге использовать 2-нм узлы, такие как SF2 или SF2P, в собственной литейной системе Samsung.

Существующая информация показывает, что линейка продуктов Samsung HBM шестого поколения (HBM4), как ожидается, будет основана на 4-нанометровом техпроцессе, который, как широко предполагается, будет исходить из узла семейства SF4. Неназванный инсайдер компании сообщил, что Samsung Electronics разрабатывает специальные логические микросхемы для HBM под руководством команды по созданию специализированных SoC, недавно созданной в прошлом году в рамках бизнес-подразделения System LSI, и создает портфель процессов, охватывающий от 4 до 2 нанометров, чтобы удовлетворить разнообразные потребности различных клиентов.

Отраслевые аналитики полагают, что ориентированные на будущее сверхвысокопроизводительные ускорители искусственного интеллекта будут в значительной степени зависеть от модулей HBM с более современной производительностью и пропускной способностью. Ожидается, что с фактическим внедрением 2-нанометровых логических микросхем на рынке искусственного интеллекта корпоративного уровня ожидается «сильный» рост спроса, который, вероятно, подождет до выхода продукта седьмого поколения HBM4E, то есть после 2027 года.