Аннотация:
На Всемирной производственной конференции 2026 года в Хэфэе компания Changxin Technology официально объявила о массовом производстве технологической платформы DRAM пятого поколения (платформа G5), одновременно продемонстрировала продукты LPDDR5X большой емкости на основе этой платформы и впервые публично продемонстрировала массовое производство памяти LPDDR6.
Основной прорыв платформы G5 заключается в сокращении процессов. Эта платформа использует технологию Quadruple Patterning, позволяющую уменьшить половину шага активной области массива памяти до 11,95 нанометров, что близко к технологическому процессу ведущей в мире платформы массового производства памяти.
Для справки: самый продвинутый на данный момент узел DRAM от Samsung имеет техпроцесс 12 нм, а 11,95 нм Changxin G5 сопоставим с уровнем массового производства Samsung. Ключевым моментом является то, что этот прорыв был достигнут с использованием иммерсионного DUV ArF без использования машин EUV-литографии.
Помимо уменьшения ширины линии, платформа G5 также улучшила соотношение сторон накопительного конденсатора до 45:1 за счет изменения технологического процесса и использования новых материалов, а также разработала процесс с металлическим затвором с высокой диэлектрической постоянной (HKMG), адаптированный к процессу DRAM, уменьшив высоту функциональной области ядра до 6762 нанометров.
Таким образом, плотность хранения значительно улучшилась. Количество кристаллов, производимых на одну пластину, как минимум на 50% выше, чем у платформы предыдущего поколения, что имеет значительные преимущества в энергоэффективности продукта и контроле затрат. Луо Сяодун, вице-президент Changxin Technology, сказал:
Уровень процесса платформы G5 сопоставим с лучшими в отрасли узлами массового производства.
Два представленных серийных продукта LPDDR5X одновременно имеют единую емкость 24 Гб, что на 50 % выше, чем у аналогичных продуктов предыдущего поколения. Они упакованы в 496Ball и 245Ball соответственно. Они подходят для смартфонов среднего и высокого класса и портативной бытовой электроники. Сейчас они вступили в стадию крупномасштабного массового производства.
Еще одним акцентом на конференции стал серийный LPDDR6. Changxin LPDDR6 официально объявил о массовом производстве 29 августа с максимальной скоростью передачи 12800 Мбит/с, увеличением пропускной способности на 60% по сравнению с LPDDR5X, снижением энергопотребления на 20% и максимальной емкостью чипа 16 ГБ.
Первая модель, оснащенная LPDDR6, — это флагманский складной мобильный телефон Xiaomi 18 Fold. Это первый случай, когда продукты LPDDR6 коммерциализируются на флагманском мобильном телефоне в мире. Это также означает первый случай, когда китайская компания по производству систем хранения данных осуществила первое в мире массовое производство памяти высокого класса.
Кроме того,
Nubian NaviX Ultra, «телефон-мешок», оснащенный самым быстрым в Changxin LPDDR5X со скоростью 10667 Мбит/с, также поступил в продажу. Это первое массовое применение отечественного высокоскоростного чипа LPDDR5X со скоростью 10667 Мбит/с.
Следует отметить, что Чансинь в своем заявлении признал, что платформе G5, как совершенно новой платформе, все еще требуется определенный период времени для увеличения доходности. Продукты на базе этой платформы пока не сформировали масштабных продаж и не окажут существенного влияния на операционные показатели в краткосрочной перспективе.
Однако стратегическое значение массового производства G5 достаточно очевидно: отечественная DRAM превращается из «преследователя» в «конкурента» с точки зрения самых передовых технологий массового производства.
Комментарии