Аннотация:
Китайская индустрия чипов памяти вступает в новый этап конкуренции. Changxin Memory (CXMT) и Yangtze Memory Technology (YMTC), две ведущие компании, которые долгое время активно работали на различных рынках, ускоряют свое проникновение в ключевые области бизнеса друг друга. Постепенно разворачивается лобовая конкуренция вокруг двух основных рынков DRAM и NAND.
В последние несколько лет обе компании сохранили относительно четкое разделение труда на рынке. Changxin Memory в основном специализируется на микросхемах памяти DRAM, а Yangtze Memory — на флэш-памяти NAND. По мере того, как волна искусственного интеллекта меняет глобальную цепочку поставок полупроводников, эти границы бизнеса разрушаются.
По данным источников в отраслевых сетях, Yangtze Memory готовится выйти на рынок DRAM. Ожидается, что новая производственная линия компании на третьем этапе проекта начнет пробное производство в конце 2026 года с первоначальным упором на продукты памяти с низким энергопотреблением LPDDR5. В качестве важного этапа перед формальным массовым производством пробное производство в основном используется для отладки оборудования, оптимизации процессов и повышения производительности.
Согласно текущему плану, первоначальная производственная мощность Yangtze Memory составит около 25 000 пластин в месяц. Хотя этот масштаб все еще сильно отстает от таких международных гигантов, как Samsung, SK Hynix или Micron, это важный стратегический сдвиг для Yangtze Memory, которая уже давно занимается бизнесом NAND.
В то же время Changxin Memory также ищет возможности для расширения в области NAND.
Источники сообщили, что Changxin Memory планирует новый проект исследований, разработок и пробного производства NAND в Пекине, а также создает соответствующие исследовательские институты для содействия развитию технологии NAND. Некоторые потенциальные клиенты уже начали связываться с Changxin, в том числе стартапы, которые хотят использовать ее продукты флэш-памяти для систем искусственного интеллекта и суперкомпьютерных решений хранения данных.
В последние годы спрос на серверы искусственного интеллекта резко возрос, что не только способствовало дальнейшему процветанию рынков HBM и DRAM, но и способствовало росту спроса на флэш-память NAND. Поскольку большое количество задач по обучению моделей искусственного интеллекта и выводам генерируют огромные объемы данных, спрос на твердотельные накопители и устройства хранения данных высокой емкости в центрах обработки данных продолжает расти, нарушая баланс спроса и предложения на традиционном рынке хранения данных.
Отраслевые данные показывают, что для удовлетворения потребностей рынка искусственного интеллекта крупнейшие мировые производители систем хранения данных перевели больше производственных мощностей на высокодоходные продукты DRAM и HBM, что привело к замедлению роста поставок NAND и, в свою очередь, привело к росту рыночных цен. На этом фоне выход на рынок NAND кажется Changxin более привлекательным.
Однако по сравнению с Yangtze Memory, у которой более четкий график выхода на рынок DRAM, план NAND компании Changxin все еще находится на более ранней стадии. Пока неясно, когда он поступит в серийное производство. В отрасли прогнозируют, что соответствующие производственные линии могут быть официально запущены в эксплуатацию уже в 2028–2029 годах.
Для обеих компаний, помимо технических вопросов, важным направлением будущей конкуренции могут стать права интеллектуальной собственности.
Инсайдеры отрасли отмечают, что по мере того, как обе стороны входят в традиционные области сильных сторон друг друга, расположение патентов, лицензирование технологий и конкуренция за инженерные таланты могут стать новыми точками трения. Особенно в контексте быстрого развития складской отрасли Китая обеим компаниям необходимо привлечь большое количество научно-исследовательского и производственного персонала с соответствующим опытом.
Согласно сообщениям, Changxin в настоящее время активно набирает инженеров и технических специалистов, которые работали в Yangtze Memory, чтобы ускорить процесс исследований и разработок NAND. Поскольку Yangtze Memory продвигает свой проект DRAM, конкуренция между двумя сторонами на рынке человеческих ресурсов может еще больше усилиться в будущем.
Кроме того, экспортный контроль США по-прежнему будет влиять на будущее развитие китайских компаний. Для Changxin область NAND особенно зависит от передовой технологии стекирования 3D NAND, и до сих пор трудно получить соответствующее оборудование и технологии. Поэтому то, как совершить технологический прорыв в ограниченных условиях, станет важным фактором в том, сможет ли план расширения быть реализован.
Аналитики полагают, что Changxin и Yangtze Memory раньше представляли два основных лагеря Китая DRAM и NAND соответственно, но теперь обе стороны начали расширять свой бизнес на все категории хранения данных, а это означает, что индустрия хранения данных Китая вступает в новый этап интеграции и конкуренции.
В условиях продолжающегося роста глобального спроса на вычислительную мощность искусственного интеллекта как DRAM, так и NAND стали ключевыми стратегическими ресурсами. По мере того, как два китайских гиганта хранения данных постепенно приближаются к прямой конкуренции, потихоньку начинается битва за чипы памяти, связанные с технологиями, производственными мощностями, талантами и долей рынка.
Комментарии