Аннотация:
Китайский производитель микросхем памяти DRAM Changxin Memory (CXMT) объявил, что его технологическая платформа DRAM пятого поколения официально вступила в стадию массового производства. Этот прогресс считается важной вехой в развитии индустрии хранения данных в Китае, а также означает, что Changxin Storage еще больше сокращает технологический разрыв с ведущими мировыми производителями, такими как Samsung Electronics, SK Hynix и Micron.
DRAM – это основная рабочая память, необходимая электронным устройствам, таким как смартфоны, персональные компьютеры и серверы, для запуска приложений. В последние годы, поскольку искусственный интеллект, высокопроизводительные вычисления и производительность мобильных терминалов продолжают улучшаться, спрос на мировом рынке на передовые продукты DRAM продолжает расти.
Согласно информации, опубликованной Changxin Memory, целью технологической платформы пятого поколения является создание продуктов памяти с более высокой производительностью и большей емкостью при одновременном снижении энергопотребления и производственных затрат. Компания заявила, что новая платформа предоставит производителям терминалов электронной продукции больше источников поставок микросхем памяти и повысит гибкость поставок в отраслевой цепочке.
Являясь крупнейшим китайским производителем DRAM, компания Changxin Memory на этот раз сосредоточилась на увеличении плотности ячеек памяти. За счет дальнейшего сокращения крошечных структур, отвечающих за хранение данных, и повышения уровня интеграции, новая платформа может разместить больше ячеек памяти на одной и той же площади и увеличить количество микросхем, которые можно вырезать из одной пластины, тем самым повышая общую эффективность вывода.
Changxin Storage сообщила, что новая платформа уменьшила шаг структуры массива хранения данных до 11,95 нанометров, что эквивалентно примерно 12 миллиардным долям метра. Для достижения этой цели компания использует процесс четырехкратного формирования рисунка, который преодолевает традиционные ограничения процесса, многократно выполняя несколько производственных этапов для формирования более совершенных схемных структур.
Во время Всемирной производственной конференции 2026 года, проходившей в Хэфэе, Аньхой, Ло Сяодун, глава Рыночного центра хранения данных Чансинь, заявил, что технологические возможности компании достигли того же уровня, что и самые передовые в мире платформы хранения массового производства.
В рамках массового производства новой платформы компания Changxin Memory также выпустила два чипа мобильной памяти LPDDR5X емкостью 24 ГБ на базе платформы пятого поколения. LPDDR5X — это стандарт DRAM с низким энергопотреблением, который в основном используется в мобильных устройствах, таких как смартфоны и планшеты.
Мощность нового продукта на 50% выше, чем у аналогичного продукта предыдущего поколения, и он перешел в стадию массового производства. В соответствии с различными потребностями в конечном продукте эти два продукта имеют разные формы упаковки, подходящие для дизайна смартфонов и различных портативных электронных устройств.
Помимо увеличения мощности одного чипа, новая платформа также значительно повышает эффективность производства. Changxin Memory заявила, что при использовании продуктов 8Gb в качестве сравнительного эталона количество чипов, которые платформа пятого поколения может производить на одну пластину, как минимум на 50% выше, чем у платформы четвертого поколения.
Этот показатель не отражает окончательный выход, а относится к общему количеству чипов, которые теоретически можно вырезать из одной пластины до того, как дефектные чипы будут удалены. Однако для индустрии памяти улучшение использования пластин по-прежнему остается важным способом снижения затрат и повышения конкурентоспособности.
Компания также сообщила, что в процессе разработки платформы пятого поколения широко использовались технологии компьютерного моделирования, а также проводились совместные разработки с местными китайскими производителями полупроводникового оборудования в ключевых производственных звеньях. Соответствующее сотрудничество помогло Changxin Storage постепенно создать более полную систему внутренней цепочки поставок и снизить зависимость от внешних технологий.
Это технологическое развитие также происходит в то время, когда конкуренция в глобальной индустрии хранения данных продолжает усиливаться. С быстрым развитием индустрии искусственного интеллекта спрос на высокопроизводительную память резко возрос, и крупные мировые производители систем хранения данных увеличили инвестиции в передовые продукты DRAM и HBM.
Для Китая запуск в массовое производство платформы пятого поколения Changxin Storage не только означает дальнейшее улучшение технических возможностей, но и означает, что индустрия локальных хранилищ продолжает двигаться в сторону более совершенных технологических узлов. В будущем, по мере постепенного выхода на рынок мобильных устройств хранения данных нового поколения, ожидается, что конкуренция между Changxin Storage и ведущими международными производителями еще больше усилится.
На фоне постоянно меняющегося ландшафта мировой индустрии хранения данных официальное массовое производство платформы DRAM пятого поколения считается еще одним важным узлом в развитии Changxin Memory. Это также добавляет новые рычаги воздействия на китайскую полупроводниковую промышленность для улучшения ее независимых поставок.
Статьи по теме:
Ходят слухи, что Changxin Storage готовится выйти на рынок флэш-памяти NAND
Комментарии