Аннотация:
Micron планирует удвоить мощности по производству памяти с высокой пропускной способностью (HBM) по сравнению с прошлым годом. Компания будет способствовать радикальным инвестициям в оборудование до конца года, чтобы усилить возможности поставок 12-слойной продукции HBM нового поколения - HBM4. Этот шаг призван компенсировать недостатки HBM в производственных мощностях по сравнению с Samsung Electronics и SK Hynix и увеличить долю рынка.
Согласно отраслевым новостям от 3-го числа, Micron планирует увеличить мощности по производству HBM (на основе пластин) до 60 000 штук в месяц к концу этого года. Ежемесячное производство HBM компании Micron в прошлом году осталось на уровне 4-50 000 штук, а чистый прирост в этом году превысит первоначальную производственную мощность прошлого года.
Инсайдер отрасли, знакомый с соответствующим бизнесом, сказал: «Micron делает крупномасштабные инвестиции в оборудование для быстрого увеличения производственных мощностей HBM4. К концу этого года она достигнет производственной мощности HBM примерно в 100 000 штук в месяц».
Для достижения вышеупомянутых целей производственных мощностей Micron увеличивает заказы на поставку (PO) ряду производителей оборудования для производства HBM. Понятно, что оборудование производственной базы Micron HBM продолжает поступать на рынок.
Ожидается, что доля 12-слойной продукции HBM4 значительно увеличится. В настоящее время большая часть продукции Micron HBM представляет собой 12-слойный HBM3E. В начале этого года на 12-слойную продукцию HBM4 приходилось лишь 20–30% от общего объема производства. Сообщается, что к концу года эта доля увеличится до 50%.
Слой HBM412 будет установлен на Вере Рубин из Nvidia, ведущего мирового производителя чипов для искусственного интеллекта. Micron начала массовое производство 12-слойной пленки HBM4 во втором квартале этого года.
Комментарии