Samsung планирует значительно расширить производственные мощности HBM4 и HBM4E в 2027 году, и ожидается, что соответствующий объем производства увеличится как минимум вдвое.

Аннотация:

Поскольку спрос на память с высокой пропускной способностью в центрах обработки данных искусственного интеллекта продолжает расти, Samsung Electronics ускоряет расширение производственных мощностей HBM следующего поколения. Последние новости показывают, что Samsung планирует как минимум удвоить производство продуктов серии HBM4 в 2027 году, включая высокоскоростную память шестого поколения HBM4 и последующую HBM4E.

По данным источников в полупроводниковой отрасли, в следующем году Samsung планирует увеличить объем очистки стеклянных подложек на аутсорсинге примерно до 50 000 штук в месяц, в то время как среднемесячный объем в этом году составляет около 20 000 штук, а в 2025 году — только около 10 000 штук. Другими словами, Samsung увеличила потребность в производственных мощностях в пять раз по сравнению с первоначальным значением за два года.

Стеклоноситель — это временный опорный материал, используемый при производстве ГБМ. Когда пластины DRAM проходят такие процессы, как утончение и сверление, по мере того, как пластина становится все тоньше и тоньше, ее легко согнуть или даже сломать. Поэтому стеклянный носитель необходимо временно прикрепить к задней части пластины для поддержки. По мере того как HBM развивается от 8 и 12 слоев к более высоким уровням, одиночный кристалл DRAM необходимо еще больше утончать, а также возрастает важность контроля коробления пластин и связанных с ними процессов поддержки.

Samsung в настоящее время расширяет производство HBM4 и HBM4E, в которых в основном используются многослойные конструкции из 12 слоев и выше, поэтому использование стеклянных носителей может в определенной степени отражать масштаб производства сопутствующих продуктов. Хотя стеклянную несущую пластину можно использовать повторно после очистки, а различные производственные процессы и объемы производства также будут влиять на фактическое потребление, инсайдеры отрасли полагают, что увеличение с 20 000 штук в месяц до 50 000 штук все же может отражать тенденцию расширения Samsung, заключающуюся как минимум в удвоении выпуска серии HBM4.

Samsung начала массовое производство и отправила покупателям HBM4 в феврале этого года, используя 10-нанометровый процесс 1c DRAM шестого поколения и 4-нанометровый базовый логический чип литейного отдела Samsung. Официально анонсированный компанией Samsung продукт HBM4 имеет стабильную скорость передачи 11,7 Гбит/с, максимальная скорость может достигать 13 Гбит/с, а максимальная пропускная способность одного стека достигает 3,3 ТБ/с. Samsung также предлагает версию с 12-слойным стекированием и планирует использовать технологию 16-слойного стека для дальнейшего расширения емкости.

Что касается HBM4E, то в мае этого года Samsung начала поставлять 12-слойные образцы основным клиентам, включая NVIDIA. Официальные данные Samsung показывают, что его 12-слойный HBM4E имеет емкость 48 ГБ, стабильную скорость вывода 14 Гбит/с и может быть дополнительно увеличена до 16 Гбит/с, а пропускная способность одного стека достигает 3,6 ТБ/с. По сравнению с продуктом предыдущего поколения, энергоэффективность HBM4E улучшена примерно на 16%, а его характеристики термического сопротивления улучшены более чем на 14%.

Ранее компания Samsung заявляла, что в HBM4E будет использоваться тот же процесс ядра 1c DRAM и 4-нм технология логической подложки, что и в HBM4, тем самым минимизируя время обновления продукта с HBM4 до HBM4E. Компания планирует наладить серийное производство HBM4E согласно графику выпуска продукции заказчика.

С точки зрения общих производственных мощностей отрасль прогнозирует, что ежемесячные инвестиции Samsung в пластины HBM в 2027 году могут увеличиться примерно с 180 000 пластин в 2026 году до примерно 250 000 пластин, то есть рост почти на 40 %. Однако по сравнению с ростом общей производственной мощности изменение структуры выпускаемой продукции может быть более очевидным.

Ожидается, что на серию HBM4 будет приходиться около 80 % от общего объема поставок HBM Samsung по сравнению с примерно 40 % в 2026 году. Это означает, что будущее расширение производства HBM Samsung будет заключаться не только в простом увеличении количества продуктов, но и явно будет ориентировано на высококачественные продукты нового поколения, такие как HBM4 и HBM4E.

Эта корректировка тесно связана с высоким спросом на HBM на современном рынке инфраструктуры искусственного интеллекта. По мере того, как такие компании, как NVIDIA, запускают новые поколения ускорителей искусственного интеллекта, графическим процессорам и чипам, предназначенным для искусственного интеллекта, требуется все большая пропускная способность и емкость памяти, а HBM стал ключевым компонентом высокопроизводительных вычислительных систем искусственного интеллекта. Поскольку для производства HBM требуется несколько звеньев, таких как производство DRAM, утончение пластин, TSV и усовершенствованная упаковка, скорость расширения его мощностей обычно трудно успевать за ростом спроса на серверы искусственного интеллекта.

Samsung ранее сообщала, что ее производственные мощности HBM в 2026 году в основном заняты заказами клиентов, и компания ожидает, что продажи HBM за весь год вырастут более чем в три раза по сравнению с 2025 годом. В то же время Samsung также заявила, что даже если она продолжит расширять производство, текущий спрос на HBM со стороны основных клиентов по-прежнему превышает предложение, которое компания может обеспечить, поэтому некоторые клиенты начали заранее обсуждать 2027 год и долгосрочные поставки с Samsung.

Это также одна из причин, по которой Samsung одновременно расширяет производственные мощности HBM3E, HBM4 и HBM4E. Компаниям необходимо подготовиться к заказам на продукты следующего поколения, одновременно удовлетворяя текущие потребности в ускорителях искусственного интеллекта. Ранее Samsung заявляла, что продолжит расширять производственные мощности 1c DRAM и сделает ранние инвестиции в HBM4 и HBM4E.

С технической точки зрения одним из основных изменений между HBM4 и HBM4E является большее количество слоев стека и больший масштаб ввода-вывода данных. HBM4 увеличивает количество операций ввода-вывода данных с 1024 до 2048 в HBM3E, что может значительно увеличить пропускную способность, но также увеличивает энергопотребление и давление рассеивания тепла. Samsung снижает энергопотребление за счет технологии низковольтного TSV и оптимизации распределительной сети, а также улучшает управление температурным режимом внутри корпуса.

Поскольку количество слоев стопки HBM продолжает увеличиваться, требования к утончению пластин, контролю коробления и точности упаковки в ходе производственного процесса также становятся все выше и выше. Таким образом, Samsung значительно увеличила объемы очистки стеклянных подложек, что также рассматривается в отрасли как предварительное расширение инфраструктуры для производства HBM более высокого уровня.

Однако расширение мощностей не означает, что вся эта продукция будет конвертирована в реальные поставки. В частности, будущие масштабы массового производства HBM4E также зависят от сертификации продукции, испытаний и реальных потребностей основных клиентов. Для Samsung по-прежнему существует разрыв между тем, какую мощность она может создать, и тем, какой объем продукции она может в конечном итоге доставить клиентам.

В настоящее время Samsung вступила в стадию массового производства HBM4 и начала поставлять образцы HBM4E основным клиентам. Поскольку рынок ИИ-серверов и ускорителей продолжит расширяться в 2027 году, ожидается, что Samsung сосредоточит все больше производственных ресурсов на таких дорогостоящих продуктах, как HBM4 и HBM4E. Согласно текущим отраслевым прогнозам, производство серии HBM4 от Samsung вырастет как минимум вдвое в 2027 году, а ее доля во всем портфеле продуктов HBM также может значительно увеличиться примерно с 40% до примерно 80%, а это означает, что Samsung ускоряет смещение фокуса бизнеса HBM на новое поколение памяти с высокой пропускной способностью.