Аннотация:
В условиях резкого роста глобального спроса на вычислительную мощность, вызванного искусственным интеллектом, полупроводниковая промышленность сталкивается с явлением, которое было почти невообразимо в прошлом: рыночная стоимость единицы площади усовершенствованных пластин DRAM, используемых для производства памяти DDR5, превысила стоимость самых передовых 2-нм логических пластин TSMC.
Последний отраслевой анализ показывает, что текущая стоимость единицы площади 1b DRAM составляет примерно 0,654 доллара США за квадратный миллиметр, в то время как соответствующая цена за единицу площади 2-нанометровой (N2) пластины TSMC составляет примерно 0,424 доллара США за квадратный миллиметр. Другими словами, для кремниевой пластины того же размера текущая рыночная стоимость усовершенствованной DRAM примерно на 54% выше, чем у самого передового процесса TSMC.
Этот результат удивил многих специалистов в отрасли, поскольку с точки зрения сложности производства эти два продукта совершенно не находятся на одном уровне.
2-нм техпроцесс TSMC представляет собой одну из самых передовых технологий производства логических чипов в мире. Это требует использования сложнейшего оборудования для EUV-литографии, современных транзисторных структур и чрезвычайно строгих производственных процессов. Сложность ее процесса намного выше, чем технология производства DRAM, используемая в памяти DDR5.
Однако рыночное ценообразование не зависит от сложности производства.
По отраслевым данным, цена 300-мм 3-нм пластины TSMC составляет около 20 000 долларов США, а цена 2-нм пластины того же размера - около 30 000 долларов США. После конвертации цена единицы площади 3-нанометровых пластин составляет примерно 0,283 доллара США за квадратный миллиметр, а цена за единицу площади 2-нанометровых пластин — примерно 0,424 доллара США за квадратный миллиметр.
С другой стороны, текущая битовая плотность 1 ГБ DRAM достигает 0,436 ГБ на квадратный миллиметр. Если рассчитывать на основе рыночной цены примерно 1,50 доллара США за Гб, то ее соответствующая стоимость составит примерно 0,654 доллара США за квадратный миллиметр, что превышает стоимость 2-нанометровой пластины TSMC.
Следует отметить, что эта оценка не является теоретической цифрой, оторванной от рыночной реальности.
Совсем недавно данные, опубликованные исследовательской организацией DRAM Exchange, показали, что цена продуктов eTT 16 ГБ DDR5 составляет примерно 24,80 доллара США, что соответствует цене за гигабайт примерно 1,55 доллара США. Таким образом, базовая цена в размере 1,50 доллара США, принятая аналитическим агентством, считается весьма разумной.
Что еще интереснее, так это то, что даже технически устаревшая память 1z DRAM имеет удельную площадь, близкую к уровню 2 нм TSMC.
Данные показывают, что битовая плотность памяти 1z DRAM составляет около 0,273 ГБ на квадратный миллиметр. Согласно той же методике расчета, ее стоимость составляет около $0,410 за квадратный миллиметр, что почти столько же, сколько $0,424 для 2-нм пластин.
Отраслевые аналитики полагают, что это явление не означает, что затраты на производство DRAM превысили 2-нм чипы.
Что действительно изменилось, так это соотношение между рыночным спросом и предложением.
В течение последних многих лет считалось, что самые передовые логические процессы представляют собой наиболее ценные производственные ресурсы в цепочке полупроводниковой промышленности. Однако, поскольку спрос на память в обучающих серверах искусственного интеллекта, кластерах вывода и высокопроизводительных вычислительных платформах резко возрастает, DRAM стала одним из самых дефицитных ресурсов во всей отрасли.
В частности, цены на DDR5, память с высокой пропускной способностью и различные передовые продукты хранения для систем искусственного интеллекта продолжают расти на фоне продолжающегося дефицита на рынке, что приводит к дальнейшему росту стоимости единицы площади.
Аналитики отмечают, что нынешние высокие цены на рынке, по сути, отражают дефицит, а не трудности производства.
Хотя такие производители, как Samsung, SK Hynix и Micron, продолжают расширять производство, спрос в сфере искусственного интеллекта на память по-прежнему растет быстрее, чем новые предложения. Большому количеству серверов искусственного интеллекта требуются не только передовые графические процессоры, но и большой объем оперативной памяти, что вызвало долгосрочную напряженность во всей отрасли хранения данных.
Тем временем, на подходе новое поколение более дорогой технологии DRAM.
Например, компания Samsung с опережением графика скорректировала маршрут разработки DRAM следующего поколения и передовую технологию гибридного соединения. Будущие высокопроизводительные DRAM будут использовать более сложные методы производства. Ячейки памяти и периферийные схемы управления будут изготавливаться отдельно, а затем интегрироваться посредством гибридного соединения на уровне пластины.
Из-за значительного увеличения стоимости этого нового процесса отрасль прогнозирует, что цена на передовые продукты DRAM, вероятно, останется высокой в будущем.
Для всей полупроводниковой промышленности это явление подает важный сигнал: в эпоху искусственного интеллекта фактором, определяющим ценность, является уже не просто сложность производственного процесса, а то, каких ресурсов на рынке действительно не хватает. На современном этапе одним из самых дефицитных ресурсов в мире являются уже не просто развитые логические процессы, а высокопроизводительная память большой емкости, способная поддерживать работу систем искусственного интеллекта.
Комментарии