Синь, директор крупнейшего отечественного завода по производству накопителей, опубликовал статью, посвященную технологии GAA, которую можно использовать в 3-нм чипах.

На 69-й Международной конференции по электронным устройствам IEEE (IEDM) Синь, директор крупнейшего отечественного завода по производству накопителей, представил статью, в которой говорилось, что он совершил прорыв в технологии и может работать с 3-нм технологическими чипами. Судя по статье, опубликованной Changxin, это демонстрирует прорыв в технологии Gate-All-Around (GAA), которая может использоваться в 3-нм техпроцессе и, конечно, также может работать с 5-нм, 7-нм, 10-нм и 14-нм техпроцессом.

Из-за контроля процесса оборудования компания Changxin еще не может производить и производить, но эта статья показала, что у них есть техническая сила, и это микромир независимого прорыва отечественных чипов.

До этого компания Changxin Memory официально выпустила серию продуктов LPDDR5, включая частицы LPDDR5 емкостью 12 ГБ, чипы 12GBLPDDR5 в упаковке POP и чипы 6GBLPDDR5 в упаковке DSC.

Changxin Storage также является первым отечественным брендом, выпустившим продукты LPDDR5 собственной разработки и производства, добившись нулевого прорыва на внутреннем рынке.

Чип LPDDR5 представляет собой пятое поколение динамической оперативной памяти с двойной скоростью и сверхнизким энергопотреблением. По сравнению с LPDDR4X предыдущего поколения, емкость и скорость одной частицы Changxin Storage LPDDR5 увеличены на 50%, достигнув 12 Гбит и 6400 Мбит/с соответственно, а энергопотребление снижено на 30%.