Аннотация:
Китайский производитель микросхем памяти Changxin Memory (CXMT) ускоряет разработку технологии DRAM следующего поколения и планирует выпустить продукты серверной памяти DDR5 RDIMM с архитектурой ячеек памяти 4F² до конца этого года. Источники в отрасли говорят, что, если соответствующие планы будут успешно реализованы, прогресс коммерциализации Changxin Storage на этом ключевом технологическом пути может примерно на два года опередить Samsung Electronics, которая привлекла большое внимание в мировой индустрии хранения данных.
В отчете говорится, что архитектура ячеек памяти 4F² считается важным технологическим узлом в процессе сокращения DRAM. Традиционные ячейки памяти DRAM обычно занимают большую площадь кремния, в то время как конструкция 4F² позволяет разместить больше ячеек памяти на той же площади пластины за счет дальнейшего сжатия размера ячейки, тем самым увеличивая емкость чипа и снижая затраты на единицу хранения. Поскольку производственный процесс продолжает приближаться к физическим пределам, повышение плотности хранения данных стало основной задачей, стоящей перед производителями DRAM.
В течение длительного времени крупные мировые производители памяти, включая Samsung, SK Hynix и Micron, изучали следующее поколение архитектуры DRAM высокой плотности. Однако крупномасштабная коммерциализация продвигалась относительно медленно из-за чрезвычайно высоких сложностей, связанных со сложностью конструкции, производственными процессами и контролем выхода.
Последние новости показывают, что Changxin Storage планирует взять на себя инициативу по внедрению архитектуры 4F² в продукты DDR5 RDIMM. RDIMM — это зарегистрированный двухрядный модуль памяти. Он в основном ориентирован на рынки серверов и центров обработки данных и широко используется в обучении искусственному интеллекту, высокопроизводительных вычислениях и инфраструктуре облачных вычислений.
В отрасли считают, что если Changxin Memory сможет завершить выпуск продукции в соответствии с планом и достичь стабильного массового производства, это будет означать, что она не только продолжит расширять свои производственные мощности, но и совершит прорыв в области инноваций в архитектуре ядра DRAM. Для рынка серверов более высокая плотность хранения означает возможность развертывания памяти большей емкости при тех же условиях пространства и энергопотребления, что особенно привлекательно для центров обработки данных с искусственным интеллектом.
В отчете отмечается, что нынешний график массового производства Samsung по аналогичным технологическим маршрутам, как ожидается, займет несколько лет. Если это суждение верно, Changxin Storage может получить преимущество во времени примерно на два года в коммерциализации продуктов, связанных с архитектурой 4F². Однако, поскольку соответствующие проекты все еще находятся на стадии разработки, окончательный ход массового производства, характеристики продукта и фактические уровни выхода все еще нуждаются в дальнейшей проверке.
В последние годы, в связи с быстрым развитием генеративного искусственного интеллекта и крупномасштабных языковых моделей, спрос на память большой емкости и с высокой пропускной способностью в глобальных центрах обработки данных продолжает расти. Помимо памяти HBM с высокой пропускной способностью, привлекающей большое внимание, рынок традиционной серверной памяти DDR5 также открывает новый виток циклов обновления. Для производителей систем хранения данных тот, кто сможет возглавить прорыв в технологии DRAM более высокой плотности, получит возможность занять выгодную позицию на следующем этапе рыночной конкуренции.
Аналитики полагают, что продвижение компанией Changxin Memory продуктов DDR5 RDIMM с архитектурой 4F² не только связано с выпуском одного продукта, но и рассматривается как важный сигнал для китайской индустрии хранения данных о переходе к более совершенным узлам с технологией DRAM. Ожидается, что в случае успешной реализации проекта он повысит конкурентоспособность компании на мировом рынке серверной памяти и еще больше сократит технологический разрыв с ведущими мировыми производителями.
Комментарии