Аннотация:
Samsung Electronics корректирует распределение ресурсов в своем передовом бизнесе по производству микросхем, переводя часть своих 4-нанометровых производственных мощностей на базовые чипы памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и планирует использовать более совершенный 2-нанометровый процесс для производства модемов 5G следующего поколения. Эта корректировка не только поможет Samsung увеличить производственные мощности передовых продуктов хранения данных, но также может создать условия для того, чтобы она выиграла заказы Qualcomm на производство передовых чипов, давая Qualcomm возможность уменьшить свою исключительную зависимость от TSMC в будущем.
Samsung планирует перевести внешний модем 5G следующего поколения M2800 на 2-нм техпроцесс. Чип разработан отделом System LSI компании Samsung и, как ожидается, будет завершен в 2027 году. Он предназначен для работы с мобильными телефонами серии Galaxy S28, выпущенными в 2028 году, и с процессором Exynos 2800 следующего поколения.
Раньше внешние модемы Samsung в основном использовали 4-нм техпроцесс. Переход M2800 на 2-нм производство означает, что Samsung необходимо и дальше совершенствовать применение передовых процессов в чипах связи основной полосы частот, а также высвободить некоторые 4-нм производственные мощности для производства все более важных базовых чипов HBM.
HBM — ключевой компонент ускорителей искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислительных систем. Он обеспечивает более высокую пропускную способность памяти в меньшем пространстве за счет вертикального расположения нескольких слоев микросхем DRAM. Обычно в нижней части всей многослойной структуры находится базовый чип, отвечающий за логику управления, интерфейсы передачи данных и соединения с другими чипами. Процесс проектирования и производства базового чипа напрямую влияет на производительность, энергопотребление и возможности интеграции HBM.
Поскольку спрос на вычисления с искусственным интеллектом продолжает расти, рыночный спрос HBM быстро растет. Samsung необходимо не только увеличить производство основных чипов DRAM, но также обеспечить, чтобы базовые чипы могли идти в ногу с темпами производства. Раньше Samsung в основном использовала собственный 4-нанометровый процесс для производства соответствующих чипов-подложек. Таким образом, выделение 4-нанометровых производственных мощностей становится важным фактором в расширении бизнеса передовых систем хранения данных.
Переход Samsung некоторых 4-нм ресурсов на производство HBM не означает, что все сопутствующие продукты немедленно перейдут на 2-нм процесс. Согласно раскрытой на данный момент информации, Samsung по-прежнему планирует использовать 4-нм процесс для производства базовых чипов стандартных продуктов HBM, в то время как модем M2800 следующего поколения перейдет на 2-нм процесс. Общим для этих двух изменений является то, что Samsung перепланирует спрос на передовые производственные мощности для различных продуктов.
Это изменение также связано с индивидуальным проектом NVIDIA HBM. Ранее сообщалось, что Nvidia сотрудничает с такими производителями накопителей, как Samsung, SK Hynix и Micron, для разработки индивидуальных продуктов HBM, NVHBM, и требует от соответствующих поставщиков использовать 3-нм техпроцесс TSMC для производства базовых чипов, чтобы унифицировать конструкцию и производительность ключевых компонентов.
Однако Samsung не полностью отказалась от использования собственного процесса литья пластин для производства соответствующих базовых чипов. Источники в отрасли сообщают, что Samsung проверяет возможность использования собственного 2-нанометрового процесса для производства чипов-подложек NVHBM, чтобы иметь альтернативу, когда передовые технологические мощности TSMC будут ограничены. Соответствующие планы пока находятся на стадии проверки и пока не могут рассматриваться как подтвержденные договоренности о крупномасштабном массовом производстве.
Текущие 3-нанометровые производственные мощности TSMC одновременно обслуживают несколько рынков, таких как ускорители искусственного интеллекта, высокопроизводительные вычислительные чипы и процессоры для смартфонов. Поскольку спрос в этих областях продолжает расти, конкуренция за передовые технологические мощности становится все более жесткой. Если Samsung сможет использовать собственный 2-нм процесс для производства чипов-подложек, соответствующих требованиям, у нее появится возможность предоставить дополнительные возможности производства некоторым клиентам.
В то же время загрузка мощностей и производительность 2-нанометрового процесса Samsung также являются важными факторами, влияющими на ее будущую конкурентоспособность. Анализ, цитируемый Wccftech, предполагает, что если такие продукты, как Exynos 2700 и M2800, постепенно перейдут на 2-нанометровый процесс, у Samsung появится возможность расширить фактический масштаб применения этого процесса. По мере увеличения загрузки мощностей и накопления производственного опыта затраты на производство единицы продукции могут еще больше снизиться.
Это изменение может повлиять на сотрудничество между Samsung и Qualcomm. В течение долгого времени флагманские процессоры Qualcomm Snapdragon в основном полагались на передовые производственные процессы TSMC. Технологическая зрелость и производительность TSMC дают ей конкурентное преимущество в области высокопроизводительных мобильных чипов, но стоимость передовых производственных услуг также относительно высока.
Если Samsung сможет повысить производительность, расширить производственные мощности по 2-нм техпроцессу и предоставить конкурентоспособные цены, Qualcomm может рассмотреть возможность принятия стратегии производства двойного поколения в будущем и передать некоторые продукты для производства Samsung, вместо того, чтобы концентрировать основные производственные задачи на одной компании TSMC.
Для Qualcomm ценность стратегии двух заводов заключается не только в потенциальной экономии затрат, но и в гибкости цепочки поставок. Передовое производство чипов во многом зависит от небольшого количества литейных предприятий. Когда у определенного производителя возникают ограничения мощностей, перебои в производстве или изменения цен, это может отразиться на клиентах. Привлечение второго квалифицированного поставщика может предоставить больше возможностей для планирования продукции и организации мощностей.
Однако в настоящее время нет никаких доказательств того, что Qualcomm решила передать Samsung определенный флагманский процессор Snapdragon для производства по 2-нм техпроцессу. Сможет ли Samsung получить соответствующие заказы, по-прежнему зависит от фактической производительности, производительности, энергопотребления, производственных затрат и требований Qualcomm к надежности продукции. Соответствующие сообщения говорят о возможном направлении развития, а не о подтвержденных результатах коммерческого сотрудничества.
Корректировка Samsung отражает то, что спрос на HBM, вызванный искусственным интеллектом, меняет распределение производственных мощностей во всей полупроводниковой промышленности. Для Samsung чипы-подложки HBM являются не только неотъемлемой частью продуктов хранения данных, но и важной возможностью роста для передового бизнеса по производству пластин. Перераспределяя производственные мощности по 4-нм техпроцессу и продвигая применение 2-нм процессов в большем количестве продуктов, Samsung надеется одновременно повысить конкурентоспособность своего бизнеса по хранению данных и литейного производства.
Если эта стратегия принесет успех, Samsung может не только расширить возможности поставок HBM в будущем, но также использовать 2-нанометровый процесс, чтобы получить больше заказов на высокопроизводительные компьютеры и мобильные чипы. Однако то, что действительно определяет, сможет ли он бросить вызов TSMC, — это производительность, стабильность, возможности массового производства и результаты проверки клиентов передового процесса. Для Qualcomm вопрос о том, сможет ли Samsung стать надежным источником производства второго поколения, все еще должен дождаться последующего тестирования продукта и деловых переговоров, чтобы дать ответ.
Комментарии