Аннотация:
Во вторник CNBC опубликовала статью, посвященную технологическим прорывам, достигнутым компанией Changxin Storage. В статье говорилось, что Changxin Storage, возможно, не так известна, но ее технологические прорывы привели к резкому падению акций мировых гигантов хранения данных.
Хранилище Чансинь
CNBC сообщила, что Changxin Memory является основным конкурентом мировых производителей чипов памяти. В число нынешних гигантов отрасли входят Micron, SK Hynix и Samsung. Но в минувшие выходные компания Changxin Storage объявила, что добилась прогресса в исследованиях и разработке своей новой архитектуры. Эта архитектура позволяет хранить больше данных в меньшем пространстве, тем самым увеличивая плотность хранения.
Во вторник акции Micron упали на 3,62%. Акции SK Hynix, акции которой котируются на бирже Южной Кореи, упали на 10%, а акции Samsung Electronics упали на 7,4%. Акции других производителей чипов памяти также упали, в том числе SanDisk, Seagate и Western Digital.
Новый технологический прорыв
CNBC сообщила, что до своего успешного IPO этим летом компания Changxin Storage была малоизвестна за пределами китайского рынка. Но после того, как он был запущен в июле этого года, он быстро привлек внимание всего мира. Цена акций компании взлетела почти на 466% в первый день листинга на Шанхайском совете по науке и технологиям, и однажды она стала компанией с самой высокой рыночной стоимостью среди китайских компаний, зарегистрированных на бирже в то время.
CNBC отметила, что после того, как Changxin Memory стала публичной, одним из наиболее волнующих вопросов на рынке было то, сможет ли компания сократить технологический разрыв с Micron, Samsung и SK Hynix, особенно в области памяти с высокой пропускной способностью (HBM), которая является ключевым компонентом систем на базе искусственного интеллекта.
Акции Micron закрылись снижением на 3,62%
Однако, согласно сообщениям отечественных СМИ, Цао Каньюй, президент Changxin Memory, рассказал о новом прогрессе в технологии DRAM на 4-й конференции по интегрированным микросхемам и чипам 10 октября. Цао Каньюй представил архитектуру DRAM под названием 4F² и сообщил, что Changxin Memory, как ожидается, выпустит новое поколение продуктов DDR5 RDIMM, использующих эту технологию, к концу года.
Цао Каньюй сказал, что эта архитектура внесла инновации в транзисторы массивов хранения данных DRAM. Транзисторы VSG (Vertical Surrounded Gate) имеют вертикальную структуру окружающего канала для достижения более сильного управления затвором и решения проблем, связанных с утечками и эффектами коротких каналов. Вертикальные транзисторы помогают уменьшить площадь и увеличить плотность хранения.
CNBC заявила, что новая архитектура основана на технологии «4F²» и позволяет обеспечить более высокую плотность хранения данных. SK hynix также продвигает дизайн 4F² и анонсировала дорожную карту развития этой технологии на 2025 год.
Аналитики в целом считают, что Changxin Storage отстает от мировых конкурентов в исследованиях и разработках передовых технологий хранения. Поэтому любые новости о ее технологических прорывах могут существенно повлиять на восприятие инвесторами рыночных преимуществ ее глобальных конкурентов.
Рост доли рынка
Несмотря на проблемы экспортного контроля, Changxin Storage добилась значительного прогресса на рынке.
Отчет, опубликованный HSBC в прошлый четверг, показал, что доля Changxin Memory на мировом рынке DRAM выросла примерно до 10 % по сравнению с примерно 4 % год назад.
Аналитики Citigroup в августовском отчете заявили: «Правительство США вряд ли разрешит продажу чипов памяти, произведенных в Китае, в Соединенных Штатах, но продукты, продаваемые центрам обработки данных в других регионах, таких как Европа, могут косвенно повлиять на Micron».
Apple начала тестирование чипов DRAM Changxin Memory для использования в устройствах, продаваемых в Китае, и лоббирует правительство США, чтобы оно разрешило более широкое использование продуктов компании, сообщила в июле газета Financial Times со ссылкой на людей, знакомых с этим вопросом.
Комментарии