Аннотация:
Недавно в сеть просочился прогноз технических показателей технологической платформы G6 нового поколения отечественного производителя DRAM Changxin Technology.
План показывает, что Changxin продолжит использовать процесс литографии DUV для производства памяти поколения G6, запуск которой ожидается уже в 2028 году. Площадь чипа будет дополнительно уменьшена с 0,00128205 квадратных микрон в поколении G5 до 0,000896 квадратных микрон, то есть на 30%.
В отсутствие машин для литографии EUV компания Changxin приближается к физическим пределам этой технологии за счет глубокой оптимизации комбинации процессов DUV.
Согласно прогнозным данным, опубликованным специалистом по платформе X Фредериком Ченом, сокращение единичной площади G6 будет достигнуто за счет продолжения оптимизации 193-нм иммерсионной литографической машины DUV в сочетании с технологией самовыравнивающегося четырехкратного рисунка (SAQP), а на некоторых уровнях будет использоваться процесс самовыравнивающегося двойного рисунка (SADP).
С точки зрения индикаторов узла процесса, расстояние WL (словная строка) G6 будет дополнительно сокращено с 33,3 нанометров G5 до 28 нанометров, расстояние BL (битовая линия) будет уменьшено с 38,5 нанометров до 32 нанометров, а расстояние AA (активная область) будет уменьшено с 23,9 нанометров до 20 нанометров.
Решение по фоторезисту будет модернизировано одновременно. Уровень обрезки AA будет обновлен с 193i LE4 до 193i LE4 или X-SADP, а также будет введена опция X-SADP для контактного слоя битовой линии.
Первое внедрение процесса объединения является наиболее важной технической переменной в плане G6.
В таблице прогнозов уровень M0 G6 помечен как «193i LELE Bonded», что означает, что Changxin планирует использовать гибридное соединение на уровне пластины для отделения массива хранения DRAM от периферийных логических схем, а затем складывать межсоединения.Эта идея полностью соответствует технической схеме Changxin по архитектуре 4F². Цао Каньюй, президент Changxin Technology, на 4-й конференции по интегрированным микросхемам и чипам ясно дал понять, что одним из основных достижений архитектуры 4F² является отделение DRAM от процессов CMOS, а затем достижение высокоскоростного соединения посредством гибридного соединения на уровне пластины. Это ключевой поворотный момент для DRAM от двумерного масштабирования к трехмерной интеграции. Changxin планирует выпустить новое поколение продуктов DDR5 RDIMM, включающих эту технологию, к концу этого года.
G6 может быть продуктом последнего поколения со структурой микросхем памяти 6F². В прогнозе отмечается, что
Changxin заранее разработала технологию 3D-памяти, а количество слоев 3D DRAM может достигать более 64 слоев. Ожидается, что продукты поколения G7, выпущенные после 2030 года, могут перейти на структуру памяти 4F² или 3D-архитектуру.
Комментарии