Аннотация:
Changxin Technology заявила на совещании по обмену производительностью в третьем квартале, что на основе ключевого прорыва в архитектуре DRAM с вертикальным каналом 4F² технологическая платформа шестого поколения завершила проверку инженерных образцов. Компания Changxin впервые объявила, что технологическая платформа шестого поколения основана на архитектуре 4F².
,
Согласно отраслевой практике, завершение проверки инженерного образца означает, что основные показатели производительности платформы достигли расчетных показателей на реальных пластинах, и она может перейти на стадию массового производства после того, как клиент завершит проверку. Ранее компания Changxin заявила в публичном выступлении, что к концу года ожидается запуск нового поколения продуктов DDR5 RDIMM, интегрирующих передовую технологию 4F² для серверной области, одной из самых сложных для применения областей.
Что касается публично обнародованного прогресса, компания Changxin находится на переднем крае продвижения технологии 4F² в мире: Samsung и SK Hynix назвали 4F² ключевым направлением ниже уровня 10 нм, а компания Changxin взяла на себя ведущую роль в завершении проверки инженерных образцов; Если последующий прогресс пойдет гладко, ожидается, что Changxin станет первой компанией в мире, внедрившей 4F².
4F² рассматривается как ключевой путь к преодолению узкого места, связанного с усадкой ячеек DRAM, и переходу к 3D DRAM. Эволюция технологии DRAM всегда вращалась вокруг повышения плотности — интеграции большего количества блоков на пластину одного размера для распределения стоимости за бит. Но после перехода на уровень 10 нм первоначальный 6F² стал неустойчивым и приближается к физическому пределу. В Международной дорожной карте устройств и систем IEEE (IRDS) четко указано, что, когда масштабирование половинного шага становится все более затруднительным, «переход с блоков 6F² на 4F² является наиболее многообещающим путем для поддержания тенденций затрат».
Площадь блока 4F² составляет 2F×2F (F — минимальная ширина линий или расстояние, достижимое с помощью технологии фотолитографии), что составляет примерно две трети основного блока 6F². Это стало распространенным выбором крупнейших производителей систем хранения данных по всему миру. SK Hynix назвала платформу 4F² с вертикальными воротами (VG) и 3D DRAM двумя основными техническими столпами. Компания Samsung опубликовала документ о 10-нм технологии 4F² на выставке ISSCC 2026, а ее технический директор публично подтвердил в октябре этого года, что компания также находится в разработке; отрасль также считает 4F² необходимым этапом перехода к 3D DRAM.
Ядром архитектуры 4F² компании Changxin является транзистор VSG (Vertical Surrounding Gate) собственной разработки. Его вертикальная структура окружающего канала имеет более сильный контроль затвора, что может смягчить эффекты коротких каналов и утечки. На архитектурном уровне это решение разделяет производственные процессы DRAM и CMOS, а затем реализует высокоскоростное соединение посредством гибридного соединения на уровне пластины, так что производительность логики, плотность хранения и надежность можно оптимизировать отдельно.
Комментарии