На предстоящей конференции IEEE Solid-State Circuits (SSCC) в феврале 2024 года Samsung — не единственный корейский гигант памяти, который продемонстрирует свои новейшие технологии. SK Hynix также присоединится к компании, чтобы продемонстрировать конкурирующие технологии для своих линеек энергозависимой и энергонезависимой памяти.
Прежде всего, SK Hynix станет второй компанией, представившей чипы памяти GDDR7 после Samsung. Чип SKHynix имеет скорость 35,4 Гбит/с, что ниже показанных Samsung 37 Гбит/с, но плотность по-прежнему составляет 16 Гбит. Такая плотность позволяет разместить 16 ГБ видеопамяти на 256-битной шине памяти. Не все графические процессоры следующего поколения могут достигать максимальной скорости 37 Гбит/с, а некоторые могут работать и на более низких скоростях памяти, и в линейке продуктов SK Hynix есть подходящие варианты.
Как и Samsung, SKHynix использует сигнализацию ввода-вывода PAM3 и запатентованную архитектуру с низким энергопотреблением (хотя компания не уточнила, похожа ли она на четыре низкоскоростных состояния тактовой частоты чипа Samsung).
GDDR7 обязательно будет доминировать в графических картах следующего поколения в игровой и профессиональной визуальной сфере; однако рынок AI-HPC-процессоров по-прежнему будет в основном опираться на HBM3E. Компания SKHynix внедрила инновации в этой области и продемонстрирует новый 16-слойный стек HBM3E емкостью 48 ГБ (384 Гбит) со скоростью одного стека до 1280 ГБ/с. Процессор с четырьмя такими стеками будет иметь 192 ГБ памяти и пропускную способность 5,12 ТБ/с. В стеке используется полномощная конструкция TSV (через кремниевый переход) и 6-фазная схема RDQS (строб очереди чтения данных) для оптимизации области TSV.
Наконец, SKHynix также впервые продемонстрирует на конференции свой стандарт памяти LPDDR5T (LPDDR5Turbo) для смартфонов, планшетов и тонких и легких ноутбуков. Благодаря запатентованной технологии уменьшения паразитной емкости и технологии калибровки приемника смещением напряжения чип может достичь скорости передачи данных 10,5 Гбит/с на вывод и напряжения DRAM 1,05 В.