Аннотация:
Война за патенты на 3D NAND, которая длилась почти три года между Micron и Yangtze Memory, снова обострилась. Micron недавно подала иск против Yangtze Memory в федеральный окружной суд штата Айдахо, обвинив последний в приобретении технологии производства и коммерческой тайны 3D NAND путем найма бывших инженеров Micron и использования этих технологий при создании собственных продуктов флэш-памяти и патентной системы. Micron также заявила, что Yangtze Memory впоследствии использовала некоторые патенты, поданные этими бывшими сотрудниками Micron, чтобы подать в суд на Micron за нарушение патентных прав в США и других странах и регионах.
Следует отметить, что приведенное выше содержание в настоящее время представляет собой все обвинения, выдвинутые Micron в исковых документах, и не означает, что суд установил, что Yangtze Memory действительно совершила незаконные действия с точки зрения незаконного присвоения коммерческой тайны или владения патентами. Споры между сторонами вокруг этих технологий и патентов продолжаются во многих юрисдикциях.
В жалобе Micron заявила, что Yangtze Memory наняла ряд инженеров Micron, в том числе Даэсика Сун, Вэньси Чжоу и Хуа Таня. Эти сотрудники имели доступ к строго конфиденциальной технической информации 3D NAND во время своей предыдущей работы в Micron, и согласно контракту, подписанному с Micron, они по-прежнему были обязаны защищать коммерческую тайну даже после ухода из компании.
Микрон особо отметил, что некоторые из задействованных инженеров присоединились к YMTC вскоре после ухода из компании, но когда они покинули компанию, они объяснили свой уход личными или семейными причинами и не обновили своевременно информацию о своей работе на профессиональных социальных платформах, таких как LinkedIn. Micron полагает, что в результате этого компания не осознала в то время, что эти люди получили доступ к Yangtze Storage, и не сразу заподозрила, что конфиденциальная технология компании могла быть передана конкуренту.
По данным Micron, эти инженеры ранее имели доступ к строго конфиденциальной технической информации на серверах Micron в Бойсе, штат Айдахо, включая тестовые и производственные узлы. Область применения связанных технологий довольно широка, включая ключевые технологии производства 3D NAND, такие как травление с высоким соотношением сторон, процесс замены затвора, соединение многоуровневого стека, формирование и очистка столбцов ячеек памяти, а также схемы ввода-вывода памяти.
Микрон утверждает, что Yangtze Memory затем направила этих сотрудников в аналогичные области исследований и разработок и использовала их предыдущий технический опыт для разработки собственных продуктов. Что еще более важно, Micron считает, что некоторые бывшие сотрудники позже стали изобретателями патентов «Память Янцзы», а технологии, включенные в эти патенты, перекликались с их предыдущими исследованиями и разработками в Micron.
Микрон считает, что проблема не только в том, что инженеры переходят из одной компании, производящей чипы, в другую, но и в том, что некоторые технологии могут быть преобразованы из коммерческих тайн Micron в интеллектуальную собственность Yangtze Memory в процессе перемещения персонала и в конечном итоге сформировать портфель патентов, который можно использовать для инициирования патентного разбирательства против Micron.
В компании Micron заявили, что заметили эту проблему лишь постепенно после того, как Yangtze Memory впервые подали в суд на Micron в ноябре 2023 года в Калифорнии. В то время Yangtze Memory обвинила Micron в нарушении своих патентов США, связанных с 3D NAND. Когда Micron изучил список изобретателей соответствующих патентов, выяснилось, что некоторые из изобретателей были инженерами, ранее работавшими в Micron.
В число бывших сотрудников, перечисленных Micron на этот раз, входят Хунбинь Чжу, Цзюнь Лю, Юши Ху, Цянь Тао, Чанхён Ли, Дэсик Сун, Вэньси Чжоу и Хуа Тан. Micron полагает, что технологии, с которыми эти сотрудники познакомились во время своей работы, охватывали множество звеньев по производству 3D NAND, и некоторые из них позже стали изобретателями патентов, связанных с памятью Янцзы.
Среди них несколько патентов США, связанных с Хунбинем Чжу, привлекли особое внимание Micron. Micron считает, что некоторые из патентов Yangtze Memory, на которые подали заявки ее бывшие сотрудники, связаны с технологией, которую они ранее разработали в Micron, а некоторые из этих патентов и их семейств патентов позже были использованы Yangtze Memory в судебных процессах против Micron.
Однако тот факт, что бывший сотрудник переключает работу с компании, производящей чипы, на конкурента и продолжает заниматься исследованиями и разработками в знакомой ему технической области, сам по себе не доказывает кражу коммерческой тайны. Переток инженеров между технологическими компаниями очень распространен, и инженеры в одной области, скорее всего, продолжат работать над аналогичными технологиями. Настоящий спор заключается в том, были ли конкретные изобретения в соответствующих патентах созданы во время правления Micron или независимо завершены после присоединения к Yangtze Memory, и использовалась ли конфиденциальная технология, защищенная Micron.
Если Micron сможет в конечном итоге доказать, что некоторые из ее патентов на самом деле основаны на принадлежащих ей технологических достижениях, тогда спор больше не будет сводиться только к тому, нарушила ли Yangtze Memory коммерческую тайну Micron, но может также включать в себя владение истинными правами на соответствующие патенты. В иске Micron пытается подтвердить через суд, что некоторые соответствующие патенты на самом деле принадлежат Micron, тем самым ослабляя правовую основу для Yangtze Memory для использования этих патентов для предъявления иска Micron.
Эта патентная война длилась уже почти три года. Yangtze Memory подала иск против Micron в Окружной суд США Северного округа Калифорнии в ноябре 2023 года, первоначально затрагивая 8 патентов США, в основном касающихся архитектуры и производственных технологий 3D NAND. Впоследствии Yangtze Memory подала несколько исков в Китае и продолжила добавлять новые патентные иски в США.
К октябрю 2025 года Yangtze Storage еще больше расширила свою деятельность, охватив Техас, Великобританию, а также Европейский единый патентный суд и суды Германии, превратив патентные споры, первоначально ограничивавшиеся Соединенными Штатами, в глобальные споры об интеллектуальной собственности, охватывающие множество стран и регионов.
На сегодняшний день обе стороны участвовали в более чем 20 патентах и судебных процессах, причем дела включают не только нарушение патентных прав, но также недействительность патентов, подтверждение судебных решений и другие соответствующие юридические споры. Micron также начала сопротивляться и предложила, чтобы реальным правообладателем некоторых патентов памяти Янцзы была Micron.
Незадолго до подачи последнего иска Micron компания Yangtze Memory уже добилась поэтапного прогресса в Германии. 18 сентября 2026 года Первый окружной суд Мюнхена, Германия, постановил, что Micron нарушила права на две немецкие полезные модели, связанные с 3D NAND компании Yangtze Memory, и наложил запрет на сопутствующие продукты.
Соответствующие права: DE 20 2020 006 166 U1 и DE 20 2021 004 551 U1, которые включают лестничную структуру 3D NAND и технологию барьерного слоя, связанную с контактом словесной линии. Срок защиты этих двух прав составляет 10 лет, и суд еще не вынес окончательного решения о нарушении трех других связанных с этим дел.
Следует отметить, что эти два семейства немецких патентов на полезную модель связаны с бывшим инженером Micron Вэньси Чжоу, а соответствующие патенты США также использовались Yangtze Memory в судебных процессах против Micron. Это напрямую связано с последним обвинением Micron в том, что «бывшие сотрудники принесли технологию Micron 3D NAND в Yangtze Memory и в дальнейшем участвовали в соответствующих патентных исследованиях и разработках».
Однако решение Германии по-прежнему является лишь результатом первой инстанции. «Микрон» обжаловал это решение и оспаривает действительность прав в других судебных разбирательствах. Таким образом, эти два немецких запрета не означают, что глобальный патентный спор между двумя сторонами окончен.
Предыдущие судебные иски Yangtze Memory в США не принесли точно таких же результатов, как это решение в Германии, а некоторые из оспариваемых патентов были оспорены на предмет недействительности. В то же время Micron продолжает защищать свои права интеллектуальной собственности посредством встречных исков и исков о подтверждении.
Промышленная подоплека этого спора также весьма специфична. 3D NAND — одна из основных технологий для современных твердотельных накопителей, смартфонов и устройств хранения данных корпоративного класса. Такие производители, как Samsung, SK Hynix, Micron, Kioxia, Western Digital и Yangtze Memory, уже давно поддерживают свои технические барьеры посредством выдачи патентов, перекрестного лицензирования и судебных разбирательств. Поскольку 3D NAND включает в себя большое количество сложных технологий, от структуры ячеек памяти до травления, укладки, подключения и схем ввода-вывода, границы патентов между различными производителями часто очень сложны.
Стратегия, принятая Micron на этот раз, очевидно, более активна, чем предыдущий метод защиты в основном в судебных процессах по патентам «Память Янцзы». В течение последних трех лет Yangtze Memory постоянно использовала патенты для инициирования судебных исков против Micron, в то время как Micron в основном отвечала на это посредством исков о признании патентов недействительными и встречных исков. Прямая подача иска относительно коммерческой тайны и владения патентами в Айдахо, США, означает, что Micron начала подвергать сомнению процесс формирования патентного портфеля Yangtze Memory под другим углом.
Если Micron сможет доказать в суде, что некоторые изобретения, защищенные патентами Yangtze Memory, на самом деле принадлежат Micron, или доказать, что Yangtze Memory незаконно использовала коммерческие тайны Micron в процессе исследований и разработок, соответствующие результаты могут также повлиять на другие текущие патентные споры между двумя сторонами. Однако, если Micron не сможет доказать неправомерную передачу этих технологий, одного лишь факта работы инженеров в Micron недостаточно, чтобы доказать наличие проблем с соответствующими патентами Yangtze Memory.
Поэтому текущий спор фактически содержит два взаимосвязанных вопроса: с одной стороны, нарушила ли «Мемори Янцзы» коммерческую тайну «Микрона» и кому должны принадлежать некоторые патенты; с другой стороны, не нарушил ли Micron технологию 3D NAND компании Yangtze Memory, получившую юридическую защиту. Поскольку дела в США, Китае, Германии, Великобритании и Европейском объединенном патентном суде продолжают продвигаться вперед, споры об интеллектуальной собственности между двумя сторонами, вероятно, будут продолжаться еще долгое время.
Комментарии